[发明专利]用于夹持晶圆以对其进行腐蚀的夹具

说明书

技术领域

    本发明涉及半导体器件制造，尤其涉及半导体制造过程中可夹持晶圆的夹持器件。 

背景技术

    半导体器件的制造过程包括一系列的检查工艺，以判断形成在晶圆上的芯片优良与否。Hfe（Hybrid Forward Common Emitter）测试便是检查工艺中较为重要的一个环节。Hfe测试的本质就是测试三极管的电流放大倍数。

    众所周知，在功率晶体管的生产过程中，Hfe控制、VCBO、VCEO和VFBE的监控极为重要且具有一定的难度，其中又以Hfe的控制难度最高。在功率晶体管的制备过程中实时测控Hfe基本难以实现，当前的方式是在功率晶体管制备完成后再去测试Hfe。在此，简单描述Hfe测试工艺如下：从一批晶圆中选择一个先行片，使其进入后续的制备流程，在进行到特性测试阶段（亦即，晶体管的制备基本完工）；然后将特性测试的结果反馈给放大控制工序，确定相应的放大控制时间。如果第一个先行片的Hfe控制偏差比较大，则再以第二个先行片来测试，如此直到Hfe符合控制要求。

   如上所述的Hfe控制过程较长，在生产过程中不能对VCBO、VCEO和VFBE等参数进行实时监控，不能对晶圆的击穿特性曲线进行监控，不能及时发现软件击穿、管道等击穿不良。但如果要在晶圆制备工艺过程中利用测试晶圆进行放大测试（例如在特定调整Hfe放大控制工序中对晶圆进行测试），则缺少夹持晶圆以进行测试的设备。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种可夹持晶圆的夹具，其可在晶圆的制备过程中，例如特定调整Hfe放大控制工序中用来夹持晶圆，并呈现出到晶圆的通道以便通过该通道来腐蚀晶圆从而进行相关测试，由此来解决以上及其它问题。

本发明所述的用于在半导体晶圆制造过程中夹持晶圆以对其进行腐蚀的夹具，包括第一夹持件，与第一夹持件枢接的第二夹持件，所述第一夹持件上设置有第一孔部，围绕所述第一孔部设置有第一密封件，在所述第一夹持件和所述第二夹持件压合后，第一孔部形成用以腐蚀夹持在所述第一夹持件和所述第二夹持件之间的晶圆的第一通道，所述第一密封件将晶圆待腐蚀区域与其它区域隔离开。

优选地，所述第二夹持件上设置有第二孔部，围绕所述第二孔部设置有第二密封件，在所述第一夹持件和所述第二夹持件压合后，第二孔部形成用以腐蚀夹持在所述第一夹持件和所述第二夹持件之间的晶圆的第二通道，所述第二密封件将晶圆待腐蚀区域与其它区域隔离开。

优选地，所述第一孔部的边缘向内凹陷，所述第一密封件设置在该凹陷内，所述第二孔部的边缘向内凹陷，所述第二密封件设置在该凹陷内，在所述第一夹持件和所述第二夹持件压合后，所述第一密封件与所述第二密封件分别紧密贴合所述晶圆。

优选地，所述第一夹持件还包括围绕所述第一孔部用于限制晶圆的第一限制件。

优选地，由所述第一限制件包围的区域比所述第一夹持件上在第一限制件之外的区域低。

优选地，所述第一限制件包围的区域比所述第一夹持件上在第一限制件之外的区域低晶圆的厚度。

优选地，所述第一夹持件还包括围绕所述第一孔部用于限制晶圆的第一限制件，及所述第二夹持件还包括围绕所述第二孔部用于限制晶圆的第二限制件。

优选地，第一限制件包围的区域略低于第一限制件以外的区域，第二限制件包围的区域略低于第二限制件以外的区域。

优选地，在所述第一夹持件和所述第二夹持件压合后，所述第一限制件包围的区域与所述第二夹持件所包围的区域形成的用于容置晶圆的区域的高度与晶圆的厚度相当。

优选地，所述第一夹持件包括第一夹板，与所述第一夹板固定连接的第一手柄，其中所述第一孔部、第一密封圈、以及第一限制件设置于所述第一夹板。

优选地，所述第二夹持件包括第二夹板，与所述第二夹板固定连接的第二手柄，其中所述第二孔部、第二密封圈、以及第二限制件设置于所述第二夹板。

优选地，所述第一夹持件和所述第二夹持件对称设置。

优选地，所述第一手柄设置有第一锁定件，第二手柄设置有第二锁定件，第一锁定件包括固定在第一手柄中的销以及与该销露出在第一手柄外的端部枢接的搭扣，第二锁定件包括固定在第二手柄中并露出部分端部的销，所述搭扣在所述第一夹持件与第二夹持件压合后可搭接在所述第二锁定件所露出的部分端部。

本发明所述的夹具可以将晶圆待腐蚀的区域通过该夹具的第一通道和/或第二通道曝露出来，以便利用腐蚀溶液进行腐蚀；同时设置在第一孔部和第二孔部的密封件可有效防止腐蚀溶液腐蚀到其它不需要腐蚀的区域。