[发明专利]提高nandflash存储设备对照表加载速度的实现方法无效

专利信息
申请号: 201110450092.X 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN102541677A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 郑茳;肖佐楠;匡启和;王廷平;薛毅 申请(专利权)人: 苏州国芯科技有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 马明渡
地址: 215011 江苏省苏州市高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 提高 nandflash 存储 设备 对照 加载 速度 实现 方法
【权利要求书】:

1.一种提高nandflash存储设备对照表加载速度的实现方法,所述nandflash存储器由若干物理块组成,物理块包含若干个物理页,物理页包括管理字节区、若干个由至少两个扇区组成的用户数据区和若干个分别与所述用户数据区一一对应的错误校验区(ECC),每个错误校验区(ECC)用于校验并纠错其负责的用户数据区的错误代码,所述管理字节区用来建立逻辑页与物理页之间的对应关系或者建立逻辑块与物理块之间的对应关系;其特征在于:所述管理字节区内还增设有用于对管理字节区查错的管理查错分区,此管理查错分区仅对管理字节区进行是否有错的分析;所述第一错误校验区(ECC)用于将其相应的第一用户数据区和所述管理字节区合在一起进行校验纠错编码;在存储器系统加载所述管理字节区建立逻辑页与物理页对应关系或者建立逻辑块与物理块之间的对应关系时,先根据所述管理查错分区内验证编码判断所述管理字节区内信息是否正确,如果正确继续直接获取管理字节区内信息;否则加载所述第一用户数据区和第一错误校验区(ECC),此第一错误校验区(ECC)将第一用户数据区和管理字节区均进行查错分析并进行纠错。

2.根据权利要求1所述的实现方法,其特征在于:所述物理页包括4个用户数据区,4个错误校验区(ECC)。

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