[发明专利]存储设备、存储模块及电子设备有效
| 申请号： | 201110447978.9 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102569362A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 加藤清;小山润;斋藤利彦;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L27/115;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 设备 模块 电子设备 | ||
1.一种存储设备，包括：
存储单元，其包括第一晶体管、第二晶体管和第一绝缘膜，
其中，所述第一晶体管包括：
····第一氧化物半导体层，其包括第一沟道形成区；
····连接于所述第一氧化物半导体层的第一电极；
····连接于所述第一氧化物半导体层的第二电极；
····与所述第一沟道形成区重叠的第一栅电极；和
····置于所述第一栅电极和所述第一氧化物半导体层之间的第二绝缘层，
其中，所述第二晶体管包括：
····第二栅电极；
····在所述第二栅电极上的第三绝缘膜；
····第二氧化物半导体层，其包括在所述第三绝缘膜上的第二沟道形成区；
····连接于所述第二氧化物半导体层的第三电极；
····连接于所述第二氧化物半导体层的第四电极；
····在所述第二氧化物半导体层、所述第三电极和所述第四电极上的第四绝缘膜；和
····在所述第四绝缘膜上的第三栅电极，
其中，所述第二栅电极、所述第三栅电极和所述第二沟道形成区互相重叠，
其中，所述第一氧化物半导体层位于所述第三栅电极上方，且
其中，所述第一氧化物半导体层位于所述第一绝缘膜上方，而所述第二氧化物半导体层位于所述第一绝缘膜下方。
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2.如权利要求1所述的存储设备，其特征在于，
所述第一氧化物半导体层包括含掺杂剂的区域，且
所述第一电极和所述第二电极通过所述区域电连接于所述第一沟道形成区。
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3.如权利要求2所述的存储设备，其特征在于，
所述掺杂剂选自由氮、磷、氩、砷、氙、氦和氢构成的组。
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4.如权利要求1所述的存储设备，其特征在于，
所述第二氧化物半导体层与所述第二栅电极重叠的区域大于所述第二氧化物半导体层与所述第三栅电极重叠的区域。
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5.如权利要求1所述的存储设备，其特征在于，
所述第一电极电连接于所述第三电极。
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6.如权利要求1所述的存储设备，其特征在于，
所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层包括In-Ga-Zn-O基氧化物半导体。
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7.如权利要求1所述的存储设备，其特征在于，
所述第一绝缘膜的顶表面的高度和所述第三栅电极的顶表面的高度基本相同。
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8.一种存储模块，其包括如权利要求1所述的存储设备。
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9.一种包括如权利要求1所述的存储设备的电子设备。··
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