[发明专利]半导体封装制程及其封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装制程，其包括以下的步骤：

提供一个基板，在所述基板上设置一个第一电极以及一个第二电极，并在所述第一、二电极之间设置贯穿所述基板的一个孔洞，

设置一个LED芯片，在所述第一、二电极上，并与所述第一、二电极达成电性连接，

形成一个透镜，在所述LED芯片上方，所述透镜包括一个凸部以及一个凹部，并使所述凹部位于所述LED芯片的正向位置，及

形成一个荧光层，由所述孔洞注入荧光材料覆盖所述LED芯片。

2.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于：所述提供一个基板步骤中，所述基板包括一个顶面以及一个底面，所述第一、二电极在所述基板的顶面两侧设置，并分别自所述顶面延伸至所述底面。

3.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于：所述孔洞位于所述基板的中央位置。

4.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于：所述设置一个LED芯片步骤中，所述LED芯片与所述第一、二电极的电性连接以打线(Wire Bonding) 、覆晶(Flip Chip)或是共晶(Eutectic)的方式达成。

5.如权利要求4所述的半导体封装制程，其特征在于：所述设置一个LED芯片步骤中，所述LED芯片在所述第一、二电极上的设置，避开所述基板上的所述孔洞。

6.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于：所述形成一个透镜步骤中，所述透镜是以模造(Molding)或是射出(Injection)成型的方式形成。

7.如权利要求1所述的半导体封装制程，其特征在于：所述形成一个荧光层步骤中，是随着所述形成一个透镜步骤进行，所述透镜在模具内尚未固化成型前就可进行所述荧光层的灌注，使所述透镜与所述荧光层密合成型。

8.如权利要求7所述的半导体封装制程，其特征在于：所述形成一个荧光层步骤中，所述荧光层灌注的厚度可由定量的荧光材料控制，使所述荧光层灌注的厚度小于所述透镜凸部的厚度。

9.如权利要求7所述的半导体封装制程，其特征在于：所述形成一个荧光层步骤中，所述透镜的折射率小于所述荧光层的折射率。

10.如权利要求7所述的半导体封装制程，其特征在于：所述形成一个荧光层步骤中，所述荧光材料是包含有荧光粉的胶质材料。

11.一种半导体封装结构，包括一个基板、一个LED芯片、一个透镜以及一个荧光层，所述基板上具有一个第一电极以及一个第二电极，所述第一、二电极上设置所述LED芯片，所述LED芯片与所述第一、二电极电性连接，所述第一、二电极之间具有贯穿所述基板的一个孔洞，所述孔洞上方设置所述荧光层并覆盖所述LED芯片，所述荧光层上设置所述透镜，所述透镜包括一个凸部以及一个凹部，所述凹部位于所述LED芯片的正向位置。

12.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于：所述基板包括一个顶面以及一个底面，所述第一、二电极在所述基板的顶面两侧设置，并分别自所述顶面延伸至所述底面。

13.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于：所述孔洞位于所述基板的中央位置，所述LED芯片在所述第一、二电极上的设置，避开所述孔洞。

14.如权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于：所述基板的中央位置包含所述基板上的所述LED芯片以及所述孔洞部分。

15.如权利要求11所述的半导体封装结构，其特征在于：所述荧光层的厚度小于所述透镜凸部的厚度。