[发明专利]一种测量铝电解质温度和初晶温度的装置及方法有效
申请号: | 201110445908.X | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102494789A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 高炳亮;王兆文;史冬;石忠宁;胡宪伟;于江玉 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | G01K1/08 | 分类号: | G01K1/08;G01K7/02;C25C3/20 |
代理公司: | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人: | 李在川 |
地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 测量 电解质 温度 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种铝电解温度测量方法,特别涉及一种测量铝电解质温度和初晶温度的装置及方法。
背景技术
金属铝是通过电化学法还原溶解在冰晶石熔体中的氧化铝来生产的;生产过程中需要测量铝电解质的温度和初晶温度。近年来,已经相继问世了多种用于同时测量铝电解质温度和初晶温度的方法,这些方法大体可分成两类:单温度传感器技术和双温度传感器技术。
单温度传感器技术中,采用的探头是将一个温度传感器安置在一个试样杯中,测量时将探头浸入到电解质中,待温度恒定后,将探头取出并随环境温度冷却;测量至温度恒定时的温度为电解质温度;而初晶温度为测量获得的冷却曲线拐点处的温度。
双温度传感器技术中,探头安装有两个温度传感器,一个温度传感器安置在试样杯中,另一个温度传感器作为参比温度封装在一个金属体中,试样杯和封装参比热电偶的金属体为一个整体;测试时将探头浸入到电解质中,待温度恒定后,将探头取出并随环境温度冷却。测量至温度恒定时的温度为电解质温度;而初晶温度为测量获得的冷却曲线拐点处的温度。
相对于单温度传感器探头,双温度传感器技术对拐点的分辨度更高,特别适合用于测量电解质中氟化铝含量高于8%的电解质的初晶温度。但是这两种传感器都存在一个共同的缺点,由于冷却过程中冷却速度太大,造成测定的电解质初晶温度与实际值相比偏低;并且测试结果受环境影响较大,重现性较差;还有再次测量时,必须将样品杯中的电解质清除干净,除了操作比较麻烦,还将影响探头的寿命。
发明内容
针对现有铝电解质温度和初晶温度测量技术存在的上述问题,本发明提供一种测量铝电解质温度和初晶温度的装置及方法,通过采用两个各自独立分别安装有温度传感器的探头同时进行测量,在提高测量精度的同时,延长探头的使用寿命。
本发明的测量铝电解质温度和初晶温度的装置由探头Ⅰ和探头Ⅱ、分析仪器和升降装置构成,每个探头由一个温度传感器和一个保护套管组成,两个温度传感器同时与一个分析仪器装配在一起,两个保护套管固定在一个升降装置上;每个探头中温度传感器的上部固定在保护套管内,温度传感器的末端插入保护套管内的空腔下部的小孔中。
上述装置中探头Ⅰ的保护套管底端面与该保护套管的小孔连通;探头Ⅱ的保护套管底端封闭。
上述装置的探头Ⅱ中,保护套管的底端面为平面、球缺面或圆锥面,温度传感器末端与保护套管的小孔的底端连接。
上述装置的探头Ⅰ中,保护套管的底端面为平面、球缺面或带有凹槽的平面;当保护套管的底端面为平面或球缺面时,小孔与保护套管的底端连通或呈L型与保护套管下部的侧壁连通,温度传感器末端与保护套管底端平齐,或位于小孔与保护套管下部侧壁的连通处;当保护套管底端面为带有凹槽的平面时,小孔与凹槽连通,温度传感器末端位于凹槽内。
上述装置的两个温度传感器的水平高度差≤30mm。
上述装置的每个温度传感器外径与该温度传感器插入的小孔孔径的差≤0.5mm。
上述装置的探头Ⅰ中,保护套管的顶端封闭。
上述装置中,保护套管的材质选用铁、镍、铜或不锈钢;所述的不锈钢为310s、304、316或316L不锈钢。
上述的温度传感器为K型镍铬-镍硅热电偶或S型铂铑-铂热电偶。
上述装置中的分析仪器为与计算机装配在一起的热电偶模块、与计算机装配在一起的电位差计或与计算机装配在一起的万用表。
本发明的测量铝电解质温度和初晶温度方法是采用上述装置,按以下步骤进行:
1、通过升降装置将两个探头插入到熔融的电解质中测量电解质的温度,通过分析仪器记录两个探头的温度,并建立温度-时间关系曲线;当两个探头测量到的温度都恒定不变时,停止记录;
2、通过升降装置将两个探头从电解质中取出,空冷至温度≤300℃,准备下次进行测量;
3、建立温度差-温度曲线,其中温度差坐标为同一时刻探头Ⅰ与探头Ⅱ测得的温度差,温度坐标为探头Ⅰ测得的温度;温度差-温度曲线中停止记录时温度差为0,该处对应的探头Ⅰ测得的温度即为电解质温度;温度差-温度曲线中电解质温度前第一个峰值点处对应的探头Ⅰ测得的温度即为电解质的初晶温度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学,未经东北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110445908.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。