[发明专利]氧化硅玻璃坩埚的制造方法有效
| 申请号： | 201110445470.5 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102531349A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 须藤俊明;铃木江梨子 | 申请（专利权）人： | 日本超精石英株式会社 |
| 主分类号： | C03B20/00 | 分类号： | C03B20/00;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 深圳市维邦知识产权事务所 44269 | 代理人： | 王昌花 |
| 地址： | 日本秋田县*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 玻璃 坩埚 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法，在旋转的模具内，通过多个碳电极进行的电弧放电加热熔化由氧化硅粉末构成的氧化硅粉层，从而制造氧化硅玻璃坩埚，该制造方法的特征在于包括：
预备工序，对于选自由上述氧化硅粉层、上述熔化时发生的烟尘、以及因上述电弧放电而产生的电弧火焰组成的群的一种以上，预先求出上述加热熔化时的最佳温度；
温度测量工序，对于已求出上述最佳温度的选自上述群的一种以上，测量在上述加热熔化时的实际温度；以及
温度控制工序，对于已测量上述实际温度的选自上述群的一种以上，控制上述实际温度以成为上述最佳温度。
2.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：检测出波长为4.8～5.2μm的辐射能而测量上述氧化硅粉层、烟尘、电弧火焰的上述最佳温度及上述实际温度。
3.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：上述氧化硅粉层的上述最佳温度及上述实际温度为上述氧化硅粉层的内表面的温度。
4.如权利要求1所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：随时间先求出上述最佳温度，并且随时间控制上述实际温度。
5.如权利要求1至4中任一项所述的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其特征在于：上述氧化硅粉层的上述最佳温度及上述实际温度为相当于氧化硅玻璃坩埚的角部的部位的温度。
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