[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

随着3D电视及高分辨率移动设备的需求不断增加，相比传统的基于非晶硅(a-Si)的器件，需要具有更快的电子迁移率、更稳定的电气特性的器件。根据此需求，低温多晶硅(LTPS)及其他半导体材料正在兴起。其中，氧化物(Oxide)系列材料由于容易改造和渗入的因素，成为业界积极地研究和开发的对象。

按照面板的不同模式，氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)的工艺需要差别化地进行。如图1所示，现有技术中的一种薄膜晶体管阵列基板的结构为：基材11、位于基材11上的栅极12、位于基材11和栅极12上的栅极绝缘层13、位于栅极绝缘层13上的像素电极层14和有源层15、位于有源层15上的刻蚀阻挡层16、位于像素电极层14和有源层15上的源/漏电极层17、位于像素电极层14、源/漏电极层17和刻蚀阻挡层16上的钝化层18、以及位于钝化层18上的公共电极层19。其中，有源层15采用氧化物系列材料。

在现有技术中，在形成图1中的有源层15后，需要再进行像素电极层14的制作，像素电极层一般使用ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)材料。而在形成像素电极层14的过程中，通常采用等离子工艺或热工艺，会对有源层15中的氧化物材料产生影响，如对氧化物材料中的载流子速率产生影响，进而对氧化物薄膜晶体管的阈值电压的均一性产生影响。

因此，现有技术中的氧化物阵列基板存在缺陷，需要进一步的改进。

发明内容

本发明实施例提供的一种阵列基板及其制作方法和显示装置，可以确保薄膜晶体管的阈值电压的均一性。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上，依次制作公共电极层、第二绝缘层和像素电极层；

在形成有所述公共电极层和像素电极层的基板上，依次制作有源层、源/漏电极层和钝化层。

优选的，在所述形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上，依次制作公共电极层、第二绝缘层和像素电极层，包括：

在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上，形成公共电极层并通过构图工艺形成公共电极的图案；

在所述公共电极层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上，形成像素电极层并通过构图工艺形成像素电极的图案；

在制作所述有源层之后且在制作所述源/漏电极层之前，还包括：

在所述有源层上，形成刻蚀阻挡层并通过构图工艺形成刻蚀阻挡层的图案；

在所述刻蚀阻挡层上，通过构图工艺形成源/漏电极层图形，且源电极层和漏电极分别层处于刻蚀阻挡层的两侧，且漏电极层与像素电极层直接接触；

在所述源/漏电极层和所述像素电极层上，形成钝化层，且通过构图工艺形成钝化层过孔，所述过孔位于外围数据线引线区和栅线引线区；

第二绝缘层之上的像素电极为狭缝状电极；进一步地，公共电极与像素电极可均为狭缝状电极，且在垂直方向上，公共电极与像素电极有重叠区域；

在形成公共电极层和像素电极层后，通过构图工艺形成有源层，有源层的材料优选具有高迁移率的金属氧化物；

本发明实施例提供了一种阵列基板，采用上述阵列基板的制作方法制作。

本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示装置，用于在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上依次制作公共电极层、第二绝缘层和像素电极层之后，形成有源层、源/漏电极层和钝化层；优选的，在所述有源层上形成刻蚀阻挡层。使用本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示装置，通过改变薄膜晶体管的制作工艺，先制作公共电极层和像素电极层后再制作有源层，由此，可以防止像素电极制作过程中的等离子工艺或热工艺对器件载流子的影响，而且，避免了消耗氧化物材料制作的有源层中的氧元素，进而确保氧化物薄膜晶体管的阈值电压的均一性。

附图说明

图1为现有技术中一般薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例中薄膜晶体管的制作方法的流程示意图；

图3为本发明另一实施例中薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图4a至图4i为本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作过程示意图。

具体实施方式

下面结合各个附图对本发明实施例技术方案的主要实现原理、具体实施方式及其对应能够达到的有益效果进行详细地阐述。