[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置有效
| 申请号： | 201110445065.3 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102629589A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 金原奭;金永珉 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 李娟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上，依次制作公共电极层、第二绝缘层和像素电极层；
在形成有所述公共电极层和像素电极层的基板上，依次制作有源层、源/漏电极层和钝化层。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上，依次制作公共电极层、第二绝缘层和像素电极层，包括：
在形成有栅线、栅极和栅极绝缘层的基板上，形成公共电极层并通过构图工艺形成公共电极的图案；
在所述公共电极层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上，形成像素电极层并通过构图工艺形成像素电极的图案。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在制作所述有源层之后且在制作所述源/漏电极层之前，还包括：
在所述有源层上，形成刻蚀阻挡层并通过构图工艺形成刻蚀阻挡层的图案。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述制作源/漏电极层的过程包括：
在所述刻蚀阻挡层上，通过构图工艺形成源/漏电极层图形，且源电极层和漏电极层分别处于所述刻蚀阻挡层的两侧，且所述漏电极层与像素电极层直接接触。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作钝化层的过程，包括：
在所述源/漏电极层和所述像素电极层上形成钝化层，且通过构图工艺形成钝化层过孔，所述过孔位于外围数据线引线区和栅线引线区。
6.如权利要求1至5中任一项所述的制作方法，其特征在于，置于所述第二绝缘层之上的像素电极为狭缝状电极。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述公共电极和像素电极均为狭缝状电极，且在垂直方向具有重叠区域。
8.如权利要求1至5中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述有源层采用金属氧化物。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求1至8中任一项所述的方法制作得到。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110445065.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器
- 下一篇：一种光折射显示器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
