[发明专利]光刻中曝光条件设置方法

说明书

技术领域

 本发明属于半导体光刻技术领域，涉及光刻中曝光条件设置方法，尤其涉及在同一工艺平台下初次使用的光刻版的第一次光刻的过程中的曝光条件设置方法，在该方法中考虑了光刻版的供应商的不同所导致的第一次光刻的晶片的特征尺寸（CD）差异。

背景技术

    光刻是半导体制造技术中主要用来构图的方法之一，其中，通过光刻版将图案转移至晶片的光刻胶上，因此，光刻版是光刻过程的常用工具。在光刻的过程中，所光刻构图形成的晶片的特征尺寸（Critical Dimension，又称为“CD”或“特征线宽”）是光刻过程中的关键工艺参数，其主要由光刻版的CD决定。在光刻的过程中，通过设置曝光条件中的曝光能量，可以控制晶片的CD不超出特定的工艺规范。

在当前的光刻系统中，各个产品（由晶片制造得到）是按不同的工艺平台（同一工艺平台是指除使用的光刻版不同外、其他工艺过程（例如光刻、腐蚀等）是相同的，且工艺规范也一致（例如包括CD、OVL也一致）的其他各个步骤均相同的）进行分类的，同一工艺平台下的产品的CD工艺规范也是一致的。当在同一工艺平台下开始生产一个全新的产品时，必然会使用一套新的光刻版（其图案不同于同一工艺平台下的其他产品的光刻版的图案）。该新的产品的光刻版在进行初次光刻时，曝光条件中的初始曝光能量必须被设置以满足晶片的CD的工艺规范要求（也即CD精度要求）。

一般地，在设置初始曝光能量时，其并未考虑该批新的光刻版的供应商（或称为光刻版生产厂家）不同于同一工艺平台下的其他产品的光刻版的供应商，因此，在设置初始曝光能量时，会直接选择同一工艺平台下其他产品的曝光能量参数来设置初始曝光能量参数。

但是，芯片制造厂会选择多家供应商来供应光刻版，特别是对于不同产品的光刻版（一个产品对应使用一套光刻版），即使是在同一工艺平台下完成，其光刻版的供应商通常不同的；同时，不同供应商对其所生产的光刻版的CD测试设备是不匹配或互不相同的，即使同一工艺平台下不同产品所对应的各个供应商提供的光刻版的CD被标称为一致，但实际上光刻版的CD实际上是有所差异的，这种差异会传导至晶片的CD而产生差异。因此，如果采用相同的曝光条件（例如初始曝光能量），可能会导致同一工艺平台下的不同产品在第一次光刻过程中、晶片的CD会超出特定的工艺规范，从而会要求该新产品的第一次光刻工艺过程返工，提高了返工率。

发明内容

本发明的目的之一在于，避免光刻版在某一工艺平台上初次使用用来制备新产品时、第一次光刻的过程中未考虑光刻版的供应商差异因素导致的晶片的CD超出特定的工艺规范的问题。

本发明的又一目的在于，降低光刻过程的返工率。

为实现以上目的或者其他目的，本发明提供一种曝光条件设置方法，用于第一工艺平台下初次使用的光刻版的第一次光刻过程中，其中，至少根据该光刻版的供应商信息而对应设置所述曝光条件中的初始曝光能量。

按照本发明一优选实施例的曝光条件设置方法，其中，在第一次光刻的过程中，还根据该光刻版的供应商信息而对应设置所述曝光条件中的初始套刻参数。

按照本发明又一优选实施例的曝光条件设置方法，还包括建立光刻版数据库；其中，

所述光刻版数据库包括多个所述光刻版的名称、每个所述光刻版所对应的供应商信息、每个供应商信息对应的曝光能量补偿值。

在之前所述实施例的曝光条件设置方法中，优选地，所述光刻版数据库还包括每个供应商信息对应的套刻参数补偿值。

在之前所述实施例的曝光条件设置方法中，优选地，所述套刻参数包括X/Y方向偏移量、X/Y膨胀系数、旋转度和/或正交性。

在之前所述实施例的曝光条件设置方法中，优选地，所述每个供应商信息对应的曝光能量补偿值是由与该光刻版的供应商信息相同的其他光刻版在第一工艺平台下光刻过程中获得。

在之前所述实施例的曝光条件设置方法中，优选地，所述每个供应商信息对应的套刻参数补偿值是由与该光刻版的供应商信息相同的其他光刻版在第一工艺平台下光刻过程中获得。

在之前所述实施例的曝光条件设置方法中，优选地，所述曝光条件设置方法应用于先进工艺控制系统中。

在之前所述实施例的曝光条件设置方法中，优选地，还包括步骤：将所述光刻版数据库导入所述先进工艺控制系统中。