[发明专利]一种集成电路应力退化的多功能测试电路和测试方法

权利要求书

1.一种集成电路应力退化的多功能测试电路，其特征在于包括一个核心电路，该核心电路包含一个环形振荡器RO_CP（1）；在环形振荡器RO_CP（1）的每两级反相器之间，接入一组辅助的pMOSFET（11）和nMOSFET（12），其中辅助pMOSFETs和nMOSFETs的源分别接环形振荡器RO_CP的高电位Vdd1（201）和低电位Vss（202），每组pMOSFET和nMOSFET的漏连在一起，通过开关晶体管S1（13）和开关晶体管S2（14）分别与前级反相器的输出和后级反相器的输入相连；所有辅助pMOSFETs的栅极连在一起，并接到第一控制端Vp（203），所有辅助nMOSFETs的栅极连在一起，并接到第二控制端Vn（204）；所有开关晶体管S1的栅极连在一起，并接到第三控制端VS1（205），所有开关晶体管S2的栅极连在一起，并接到第四控制端VS2（206）；环形振荡器RO_CP所有反相器中的pMOSFETs的衬底连在一起，单独接到一个外部连接端Icpp（207）；环形振荡器RO_CP所有反相器中的nMOSFETs的衬底连在一起，单独接到一个外部连接端Icpn（208）； 所有开关晶体管均为I/O器件，其工作电压高于核心电路的工作电压，以避免高电平传输时的阈值损失；

所述的核心电路，还包含一个分频系数为N的第一分频电路（3）和第一缓冲电路（4）；核心电路（1）的输出连到第一分频电路（3）的输入，第一分频电路（3）的输出连到第一缓冲电路（4）的输入，第一缓冲电路（4）的输出连到一个外部测量端OUT1（209）。

2.如权利要求1所述的集成电路应力退化的多功能测试电路，其特征在于测试电路还包含一个与核心电路结构相同的参照电路RO_ref（5），一个与第一分频电路相同的第二分频电路（6）和一个与第一缓冲电路相同的第二缓冲电路（7）；参照电路RO_ref的输出连到第二分频电路（6）的输入，第二分频电路（6）的输出连到第二缓冲电路（7）的输入，第二缓冲电路（7）的输出连到另一个外部测量端OUT2（210）；除此之外，测试电路还包含一个相位比较器（8）和第三缓冲电路（9）；核心电路（1）的输出还连到相位比较器（8）的一个输入，参照电路RO_ref（5）的输出还连到相位比较器（8）的另一个输入，相位比较器（8）的输出连到第三缓冲电路（9）的输入，第三缓冲电路（9）的输出连到第三个外部测量端OUT3（211）；参照电路RO_ref（5）的输出还通过若干开关晶体管S（51）连到环形振荡器RO_CP（1）中每一级反相器的输入，所有开关晶体管S的栅连在一起，接到外部控制端VS（212）。