[发明专利]半导体晶圆制造装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶圆制造技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆制造装置。

背景技术

现有的半导体晶圆制造装置，其风循环过滤系统通常采用整体控制，因此半导体晶圆制造装置内部往往达不到较高洁净等级；其次，这些半导体晶圆制造装置一般采用单臂机械手，由于单臂机械手只能同时处理一张晶圆，自由度较少、覆盖区域较小，因此其传片效率较低；另外，由于现有的半导体晶圆制造装置中化学气体分配系统布置不均衡，导致每个工艺腔室的流量及压力不均一，从而影响了单位面积中产品的良率产出。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：提供一种半导体晶圆制造装置，其能够提高晶圆制造装置内部的洁净等级，并可以提高传片效率，还可以提高单位面积中产品的良率产出。

(二)技术方案

为解决上述问题，本发明提供了一种半导体晶圆制造装置，包括：至少两个机械手、至少一套化学与气源分配系统和风循环过滤系统，所述风循环过滤系统包括多个用于使其所控制的区域达到均一风量和压力的控制电机。

优选地，所述机械手为多自由度双臂机械手。

优选地，每个所述机械手包括一个工艺单元晶圆存取机械手，用于将从工艺单元拾取的已处理晶圆放回内部存储调整单元的同时，拾取未经工艺单元处理的晶圆并放入工艺单元进行处理。

优选地，所述化学与气源分配系统的内部各部件对称设置。

优选地，所述装置还包括多个静电消除装置，分别覆盖于晶圆传片经过的区域。

优选地，所述晶圆制造装置中的多个工艺腔室呈直线型排列。

优选地，所述晶圆制造装置中的阀组模块系统对称排布于所述装置两侧、工艺腔室下方。

(三)有益效果

本发明通过对风循环过滤系统进行分区域控制，能够提高晶圆制造装置内部的洁净等级；其次，本发明使用多自由度双臂机械手，具有更高的传片效率；另外，本发明采用稳定均一的化学气体分配系统，从而可在每单位面积中有更高的产品良率产出。

附图说明

图1为本发明实施方式中所述半导体晶圆制造装置的轴侧视图；

图2为本发明实施方式中所述半导体晶圆制造装置的外部俯视图；

图3本发明实施方式中所述半导体晶圆制造装置的内部俯视图。

其中，1：机械手，2：化学与气源分配系统，3：风循环过滤系统，4：工艺单元晶圆存取机械手，5：工艺单元，6：内部存储调整单元，7：静电消除装置，8：工艺腔室，9：阀组模块系统，10：晶圆装载埠，11：晶圆仓储盒。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

如图1所示，本发明提供了一种半导体晶圆制造装置，包括：至少两个机械手1、至少一套化学与气源分配系统2和风循环过滤系统3，所述风循环过滤系统3包括多个用于使其所控制的区域达到均一风量和压力的控制电机。如图2所示，风循环过滤系统3分三大块：前部、中部、侧部。前部两小块由同一的电机控制，使前部区域达到均一的风量和压力；中部两小块由同一的电机控制，使中部区域达到均一的风量和压力；侧部八小块分别独立电机控制，使侧部每一个区域达到均一的风量和压力。总体来说，侧部区域的压力大于中部区域的压力，中部区域的压力大于前部区域的压力。所述机械手1为多自由度双臂机械手。其中，每个所述机械手1包括一个工艺单元晶圆存取机械手4，用于将从工艺单元5拾取的已处理晶圆放回内部存储调整单元6的同时，拾取未经工艺单元5处理的晶圆并放入工艺单元5进行处理。所述化学与气源分配系统2的内部各部件对称设置。装置还包括多个静电消除装置7，分别覆盖于晶圆传片经过的区域。所述晶圆制造装置中的多个工艺腔室8呈直线型排列。所述晶圆制造装置中的阀组模块系统9对称排布于所述装置两侧、工艺腔室下方。

本发明的工作过程：