[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法、显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管基板的制作方法包括：

提供一基板；

于所述基板上形成一栅极；

于所述基板上形成一覆盖所述栅极的栅绝缘层；

于所述栅绝缘层上形成一主动材料层；

于所述主动材料层上形成一感光材料层；

利用一半调式掩膜对所述感光材料层进行一微影工艺，以图案化所述感光材料层而形成一感光保护层，所述感光保护层位于所述栅极上方且具有未贯穿所述感光保护层的一第一凹槽与一第二凹槽；

以所述感光保护层为掩膜刻蚀所述主动材料层，以形成一主动层；

移除所述第一凹槽与所述第二凹槽底部的所述感光保护层，以分别暴露出所述主动层的一第一部分与一第二部分；

形成一连接所述第一部分的第一电极；以及

形成一连接所述第二部分的第二电极，其中所述第一电极为一源极与一源极其中之一，所述第二电极为所述源极与所述源极其中之另一。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，移除所述第一凹槽与所述第二凹槽底部的所述感光保护层的步骤包括：

对所述感光保护层进行一等离子体灰化工艺。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽与所述第二凹槽分别邻近所述感光保护层的相对二外缘。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述第一电极是由所述感光保护层上经所述第一部分延伸至所述栅绝缘层上，所述第二电极是由所述感光保护层上经所述第二部分延伸至所述栅绝缘层上。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，形成所述第一电极与所述第二电极的步骤包括：

于所述栅绝缘层上全面形成一导电层；以及

图案化所述导电层，暴露出部分所述感光保护层以形成所述第一电极与所述第二电极。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述感光保护层的材质包括一感光性的有机无机混成材料。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述感光性的有机无机混成材料中包括硅氧烷。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽邻近所述感光保护层的外缘并大致上呈U形，所述第二凹槽白所述感光保护层的外缘向所述感光保护层的内侧延伸，且所述第一凹槽围绕所述第二凹槽。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，在移除所述第一凹槽与所述第二凹槽底部的所述感光保护层之前，所述主动层的侧壁内缩于所述感光保护层的侧壁。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，在移除所述第一凹槽与所述第二凹槽底部的所述感光保护层之后，所述主动层的侧壁凸出于所述感光保护层的侧壁。

11.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，所述的薄膜晶体管基板包括：

一基板；

一栅极，位于所述基板上；

一栅绝缘层，位于所述基板上且覆盖所述栅极；

一主动层，配置于所述栅绝缘层上，且位于所述栅极上方；

一感光保护层，位于所述主动层上，且暴露出所述主动层的一第一部分与一第二部分；

一第一电极，连接所述第一部分；以及

一第二电极，连接所述第二部分。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述感光保护层的材质为一感光性的有机无机混成材料。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述感光性的有机无机混成材料中包括硅氧烷。

14.如权利要求11所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述感光保护层位于所述主动层的一第三部分上，且所述第一部分与所述第二部分的导电度高于所述第三部分的导电度。

15.如权利要求11所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一电极由所述感光保护层上经所述第一部分延伸至所述栅绝缘层上，所述第二电极由所述感光保护层上经所述第二部分延伸至所述栅绝缘层上。