[发明专利]封装基板加工方法有效
申请号: | 201110432940.4 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN102543780A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 范铮;刘良军;杨智勤 | 申请(专利权)人: | 深南电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C23C16/06 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 彭愿洁;李文红 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 加工 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电路板加工技术领域,具体涉及封装基板加工方法。
背景技术
在封装产业里,一般将芯片本身的制作称为零级封装,将芯片封装到封装基板(或称基板、载板)上称为一级封装,将一级封装后的芯片封装到印刷电路板上称为二级封装。
在一级封装中的基板和芯片的电气导通通常通过引线键合(wire bonding)方式实现,wire bonding是通过加热、加压和超声的方式,将导体线分别焊接在芯片和基板上,实现芯片和基板电性能的导通;加工中wire bonding在基板表面的电接触垫(或称I/O接点)的涂敷方式是电镀镍金,在这些电接触垫上镀上镍金层,以确保与芯片电连接的稳定性;在基板的另外一面与印刷电路板的电性能导通通常是采用焊接的方式。
实践发现,现有基板电镀镍金的过程中,一般需要在基板上布置很多电镀引线以供电镀时电流导通。这些电镀引线占据了基板的布线空间,相对降低了线路的密度,还容易在构装高频芯片时对其造成噪声的干扰。
发明内容
本发明实施例提供封装基板加工方法,以期避免或尽量减少基板电镀镍金的过程中使用电镀引线。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供以下技术方案:
一方面,本发明实施例提供一种封装基板加工方法,包括:
在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面上覆盖保护层,其中,所述封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔;通过曝光显影露出第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域;在第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物;在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层;去除第二表面上的剩余保护层;在第二表面覆盖保护层;在覆盖保护层的第二表面上形成线路;去除已形成线路的第二表面的剩余保护层;在已形成线路的第二表面覆盖保护层;通过曝光显影露出已形成线路的第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域;在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。
另一方面,本发明实施例还提供另一种封装基板加工方法,包括:
在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面上覆盖保护层,其中,所述封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔;通过曝光显影露出第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域;在第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物;在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层;去除第二表面上的剩余保护层;在第二表面覆盖保护层;通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域;在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP;去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层;在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层;在覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面上形成线路。
另一方面,本发明实施例还提供另一种封装基板加工方法,包括:
在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面上覆盖保护层,其中,所述封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔;通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域;在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP;在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层;去除已形成线路的第一表面上的剩余保护层;在已形成线路的第一表面覆盖保护层;通过曝光显影露出已形成线路的第一表面上需电镀表面金属电镀物的区域;在已形成线路的第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物;在已形成线路的且已上镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层;去除已加工出OSP的第二表面覆盖保护层;在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层;在覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面形成线路。
另一方面,本发明实施例还提供另一种封装基板加工方法,包括:
在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层;通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域;在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物;在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层;去除第二表面上的剩余保护层;在第二表面覆盖保护层;通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域;在第二表面需形成OSP的区域加工出OSP;去除第二表面上的剩余保护层;在第二表面上覆盖保护层;在第二表面上形成线路;在已形成线路的第二表面覆盖保护层;去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层;在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层;在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路。
另一方面,本发明实施例还提供另一种封装基板加工方法,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造