[发明专利]封装基板加工方法有效
| 申请号： | 201110432940.4 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102543780A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 范铮;刘良军;杨智勤 | 申请（专利权）人： | 深南电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C23C16/06 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 彭愿洁;李文红 |
| 地址： | 518000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 加工 方法 | ||
1.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：
在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面上覆盖保护层，其中，所述封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔；
通过曝光显影露出第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域；
在第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物；
在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；
去除第二表面上的剩余保护层；
在第二表面覆盖保护层；
在覆盖保护层的第二表面上形成线路；
去除已形成线路的第二表面的剩余保护层；
在已形成线路的第二表面覆盖保护层；
通过曝光显影露出已形成线路的第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；
在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。
2.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：
在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；
通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；
在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；
在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；
去除第二表面上的剩余保护层；
在第二表面覆盖保护层；
通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；
在第二表面需形成OSP的区域加工出OSP；
在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；
去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；
在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；
在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；
在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；
去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；
在已加工出OSP的第二表面上覆盖保护层；
在已加工出OSP的第二表面上形成线路。
3.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：
在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；
通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；
在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；
去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；
在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；
在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；
在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；
去除第二表面上的剩余保护层；
在第二表面覆盖保护层；
在覆盖保护层的第二表面上形成线路；
去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层；
在已形成线路的第二表面上的覆盖保护层；
通过曝光显影露出已形成线路的第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；
在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。
4.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：
在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；
通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；
在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；
在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；
去除第二表面上的剩余保护层；
在第二表面覆盖保护层；
在覆盖保护层的第二表面上形成线路；
在已形成线路的第二表面上的覆盖保护层；
去除已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层；
在已镀上表面金属电镀物的第一表面的覆盖保护层；
在覆盖保护层的已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；
在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；
去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层；
在已形成线路的第二表面覆盖保护层；
通过曝光显影露出已形成线路的第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；
在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
