[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具有：

存储器单元阵列，由多个存储器单元构成；

多个熔丝断路器，各自包含与电源布线以及接地布线分别连接且经由熔丝露出窗向外部露出并相互并列设置的多个熔丝片，并分别存储由所述熔丝片的选择性切断状态所确定的不良存储器地址；

选择电路，根据访问所述存储器单元之一的访问信号所表示的存储器地址与所述不良存储器地址的比较，选择所述存储器单元中的一个；

栅极阵列，接受电源电位以及接地电位的供给，对与由所述选择电路选择的存储器单元对应的数据进行处理，

其特征在于，

所述多个熔丝断路器沿纵向配置在所述栅极阵列的附近，

所述电源布线和所述接地布线沿着所述熔丝片的并列设置方向延伸，

该半导体存储装置包括：

附加图案，与所述电源布线以及所述接地布线中的、离所述栅极阵列较远的一侧的布线等电位地连接，且避开所述熔丝露出窗；

供给布线，将所述附加图案的电位向所述栅极阵列供给。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述附加图案在离所述栅极阵列较近的一侧的布线的附近延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

包括多个金属层，

所述附加图案形成在与形成有所述电源布线以及所述接地布线的金属层不同的金属层上。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述附加图案与位于所述电源布线以及所述接地布线中的、离所述栅极阵列较近的一侧的布线具有相互重叠的位置关系。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述附加图案是以所述熔丝断路器的至少一个为单位而进行设置的多个图案片。

6.一种半导体存储装置，具有：

存储器单元阵列，由多个存储器单元构成；

多个熔丝断路器，各自包含与电源布线以及接地布线分别连接且经由熔丝露出窗向外部露出并相互并列设置的多个熔丝片，并分别存储由所述熔丝片的选择性切断状态所确定的不良存储器地址；

多个选择电路，根据访问所述存储器单元之一的访问信号所表示的存储器地址与所述不良存储器地址的比较，选择所述存储器单元中的一个；

栅极阵列，接受电源电位以及接地电位的供给，对与由所述选择电路选择的存储器单元对应的数据进行处理，

其特征在于，

所述多个选择电路沿纵向配置在所述栅极阵列的附近，

所述多个熔丝断路器在所述多个选择电路与所述栅极阵列之间被纵向配置，

在所述多个选择电路与所述栅极阵列之间，所述电源布线和所述接地布线沿着所述熔丝片的并列设置方向延伸，

所述栅极阵列从所述电源布线接受所述电源电位的供给，且从所述接地布线接受所述接地电位的供给。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述电源布线和所述接地布线避开所述熔丝露出窗而配置在所述多个熔丝断路器上。