[发明专利]一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路,具体涉及一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路。

背景技术

射频IC设计中，射频信号的电磁场分布随着频率提高，其空间分布特性变化也增大，管壳封装等分布参数对电路性能影响非常大；随着频率变化，这些寄生参数在电路工作中不仅影响射频芯片本身的工作特性，而且耦合的高频信号能量还会造成周围电路和系统误工作，产生严重的电磁干扰问题。

传统陶瓷管壳一般三层，第一介质层、金属基层和第二介质层，传输电信号的金属基层介于两个介质层之间，这样的布局方式所加工出来的陶瓷管壳由于传输信号的信号层之间没有能够有效隔离本振泄露的阻隔层，导致高频信号在传输过程中，通道之间存在较高的耦合效应，从而会增大信号的本振泄露，隔离度低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是，一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，包括管壳和芯片，管壳由壳底、壳体和盖板构成，芯片放置在壳底上，其特点是：壳体包括第一介质层、第一金属基层、第二介质层、第二金属基层、第三介质层和第三金属基层；所述第一介质层、第一金属基层、第二介质层、第二金属基层、第三介质层和第三金属基层从上至下按顺序叠合，芯片通过键合线与第二金属基层连接，第一金属基层和第三金属基层通过第一通孔连接。

本发明在与芯片连接的第二金属基层外还设置有第一金属基层和第三金属基层，并将第一金属基层和第三金属基层连接，起到对第二金属基层屏蔽的作用，能够有效地降低信号通道的耦合效应，降低本振泄露。

根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳体还包括第四介质层，第四介质层叠合在第三金属基层之下方。

根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳体还包括第四金属基层、第五介质层和第五金属基层，第四金属基层、第五介质层和第五金属基层从上至下按顺序叠合，并且，第四金属基层叠合在第四介质层之下方，第二金属基层与第四金属基层通过第二通孔相连，第一金属基层、第三金属基层和第五金属基层通过第一通孔连接。

本发明的该优选方案在与芯片连接的第二金属基层外还设置有第一金属基层，在与芯片连接的第四金属基层外还设置有第五金属基层，并在第二金属基层与第四金属基层之间设置有第三金属基层，同时将第一金属基层、第三金属基层和第五金属基层连接，起到对第二金属基层、第四金属基层屏蔽的作用，能够有效地降低信号通道的耦合效应，降低本振泄露。

根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳体还包括第六介质层，第六介质层叠合在第第五金属基层的下方。

根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳底为热沉或金属基层，第三金属基层与壳底连接。

根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳底为热沉，第三金属基层与壳底连接。

根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳底为热沉或金属基层，第五金属基层与壳底连接。

根据本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的一种优选方案，所述壳底为热沉，第五金属基层与壳底连接。

本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的有益效果是：本发明采用地层隔离技术，能够有效地降低信号通道的耦合效应，降低本振泄露，具有高的隔离度，系统结构简单，能够减少投片次数，提高了工作效率和经济效益，具有良好的应用前景。

附图说明

图1是本发明所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路的结构示意图。

图2是实施例2的结构示意图。

图3是实施例3的结构示意图。

图4是实施例4的结构示意图。

图5是采用传统陶瓷管壳LCC64封装的集成电路的仿真图。

图6是采用实施例2所述的陶瓷管壳封装的集成电路且壳底8为热沉的仿真图。

具体实施方式