[发明专利]一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路有效
| 申请号： | 201110431259.8 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102496612A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 杨若飞;万天才;范麟;唐睿;徐骅;刘永光;李家祎;李明剑;陈昆 | 申请（专利权）人： | 重庆西南集成电路设计有限责任公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/64 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所 50211 | 代理人： | 郭云 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 陶瓷 外壳 封装 具有 隔离 集成电路 | ||
1.一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，包括管壳和芯片（7），管壳由壳底（8）、壳体（10）和盖板（1）构成，芯片（7）放置在壳底（8）上，其特征在于：壳体（10）包括第一介质层（9a）、第一金属基层（2a）、第二介质层（9b）、第二金属基层（2b）、第三介质层（9c）和第三金属基层（2c）；所述第一介质层（9a）、第一金属基层（2a）、第二介质层（9b）、第二金属基层（2b）、第三介质层（9c）和第三金属基层（2c）从上至下按顺序叠合，芯片（7）通过键合线（6）与第二金属基层（2a）连接，第一金属基层（2a）和第三金属基层（2c）通过第一通孔（11）连接。
2.根据权利要求1所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于：所述壳体（10）还包括第四介质层（9d），第四介质层（9d）叠合在第三金属基层（2c）之下方。
3.根据权利要求2所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于：所述壳体（10）还包括第四金属基层（2d）、第五介质层（9e）和第五金属基层（2e），第四金属基层（2d）、第五介质层（9e）和第五金属基层（2e）从上至下按顺序叠合，并且，第四金属基层（2d）叠合在第四介质层（9d）之下方，第二金属基层（2b）与第四金属基层（2d）通过第二通孔（4）相连，第一金属基层（2a）、第三金属基层（2c）和第五金属基层（2e）通过第一通孔（11）连接。
4.根据权利要求3所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于：所述壳体（10）还包括第六介质层（9f），第六介质层（9f）叠合在第五金属基层（9e）的下方。
5.根据权利要求1所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于：所述壳底（8）为热沉或金属基层，第三金属基层（2c）与壳底（8）连接。
6.根据权利要求2所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于：所述壳底（8）为热沉，第三金属基层（2c）与壳底（8）连接。
7..根据权利要求3所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于：所述壳底（8）为热沉或金属基层，第五金属基层（2e）与壳底（8）连接。
8.根据权利要求4所述的一种采用陶瓷外壳封装的具有高隔离度的集成电路，其特征在于：所述壳底（8）为热沉，第五金属基层（2e）与壳底（8）连接。
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