[发明专利]一种用于等离子反应室的层叠型组件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110431022.X 申请日: 2011-12-20
公开(公告)号: CN103171186A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 周旭升;徐朝阳;贺小明;王晔 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: B32B15/04 分类号: B32B15/04;B32B15/20;B32B37/10;H01J37/32
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 等离子 反应 层叠 组件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种用于等离子反应室的层叠型组件及其制造方法。

背景技术

等离子子反应室具有许多层叠型组件,层叠型组件需要将至少两个部分按照各种方式层叠在一起。

本发明就是为了寻求一种高效低耗,而又不影响层叠型组件机能的制造方法。

发明内容

针对背景技术中的上述问题,本发明提出了一种用于等离子反应室的层叠型组件及其制造方法。

本发明第一方面提供了一种制造用于等离子体反应室的层叠型组件的制造方法,其中,所述制造方法包括如下步骤:

提供一个具有至少一个接合面的第一部分;

提供一个具有至少一个和所述第一部分的所述接合面配合的接合面的第二部分;

在所述第一部分的接合面上施加一层硬性第一结合层;

在所述第一结合层上施加一层由弹性材料制成的第二结合层;

形成包括所述第一部分和所述第二部分的层叠型组件,使得所述第一结合层和所述第二结合层结合所述第一部分和所述第二部分的各接合面。

进一步地,所述第一结合层由金属制成。

进一步地,所述第一结合层是金属铝制成。

其中,所述第二结合层包括导电材料,用于提供所述第一部分和所述第二部分之间的导电通路。

可选地,在所述第一部分的接合面上采用PVD、CVD或者蒸发电镀工艺淀积所述结合层。

进一步地,所述制造方法还包括如下步骤:向所述第二部分施加一个力,使得其接合面紧密结合于位于所述第一部分上的第一结合层和第二结合层。

其中,所述层叠型组件包括气体喷淋头,其中,所述第一部分包括用于充当所述等离子反应室的上电极的前板,所述第二部分包括用于充当安装板和电极连接的后板。

其中,所述层叠型组件包括上部接地环,其中,所述第一部分包括充当上部接地电极的前板,所述第二部分包括用于充当安装板和接地连接的后板。

本发明第二方面提供一种用于等离子体反应室的层叠型组件,其中,所述层叠型组件按照本发明第一方面提供的制造方法制成。

其中,所述层叠型组件包括气体喷淋头,其中,所述第一部分包括用于充当所述等离子反应室的上电极的前板,所述第二部分包括用于充当安装板和电极连接的后板。

其中,所述层叠型组件包括上部接地环,其中,所述第一部分包括充当上部接地电极的前板,所述第二部分包括用于充当安装板和接地连接的后板。

本发明第三方面提供了一种等离子体反应室,其中,所述等离子体反应室包括根据本发明第二方面提供的层叠型组件。

其中,所述层叠型组件包括气体喷淋头,其中,所述第一部分包括用于充当所述等离子反应室的上电极的前板,所述第二部分包括用于充当安装板和电极连接的后板。

其中,所述层叠型组件包括上部接地环,其中,所述第一部分包括充当上部接地电极的前板,所述第二部分包括用于充当安装板和接地连接的后板。

由于本发明采用硬性的第一结合层和弹性的第二结合层结合层叠型组件的第一部分和第二部分,使得所述层叠型组件致密度更好,导热性更好。

附图说明

图1是等离子体处理装置的结构示意图;

图2是等离子体处理装置的气体喷淋头和上部接地环的结构示意图;

图3是本发明的第一具体实施例的用于等离子体处理装置的层叠型组件制造方法的步骤流程图;

图4a~4d是本发明的第一具体实施例的用于等离子体处理装置的层叠型组件制造方法示意图;

图5是本发明的第二具体实施例的用于等离子体处理装置的层叠型组件制造方法的步骤流程图;

图6是本发明的第二具体实施例的用于等离子体处理装置的层叠型组件的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图,对本发明的具体实施方式进行说明。

图1是等离子体处理装置的结构示意图。等离子体反应室包括一腔室,其中,设置了一制程区。处理气体和其他辅助气体从腔室顶部进入,射频能量连接于下电极,并提供能量在制程区激发并产生等离子,使得其与其中的基片进行各种物理或化学反应,从而完成预定的制程。其中,还设置了一个真空泵,用于将制程冗余的杂质气体等抽出腔室以外。其中,所述等离子体反应室还包括一位于所述顶部的气体喷淋头1和位于所述气体喷淋头(showerhead)1外围的上部接地环(upper ground ring)2。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110431022.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top