[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框有效

专利信息
申请号: 201110429499.4 申请日: 2009-07-30
公开(公告)号: CN102522375A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 境春彦 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/373
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 引线
【说明书】:

本申请是申请人三洋电机株式会社三洋半导体株式会社于2009年7月30日提出的申请号为200910163614.0、发明名称为“半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框”的发明申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框,特别是涉及用树脂将安装有大型的离散型半导体元件的岛的内表面密封而成的半导体装置的制造方法及引线框。

背景技术

开发出一种用树脂将构成电源电路等的半导体元件密封的半导体装置(例如参照专利文献1)。

参照图10说明该种半导体装置100的构造。图10的(A)是半导体装置100的俯视图,图10的(B)是图10的(A)的B-B’剖视图。

参照图10的(A)及图10的(B),半导体装置100形成为包括半导体元件104、安装有半导体元件104的岛(island)102、与半导体元件104连接而其一部分导出到外部的引线110、和将它们一体地覆盖而将它们密封的密封树脂108的构造。

半导体元件104例如是离散型的MOSFET,其内表面的漏电极连接于岛102,其表面的栅电极通过金属细线106而与引线110A连接,其表面的源电极经由金属细线106而与引线110C连接。

另外,自密封树脂108的侧面引出引线110A~110C,通过将这些引线110插入到安装基板中而插入安装半导体装置100。

上述构造的半导体装置100的制造方法如下所述。首先,通过对由厚度为0.6mm左右的铜等构成的导电板进行蚀刻加工、压力加工,将规定形状的岛102和引线110成形。接着,将半导体元件104固定在岛102的上表面上,经由金属细线106将半导体元件104的上表面的电极和引线110A、110B连接。接着,将岛102及半导体元件104收纳在注塑模具的模腔中,在模腔中封入密封树脂108来进行注塑成形。通过这样的工序来制造半导体装置100。

另外,引线110及岛102在由框架状的引线框连结的状态下进行上述工序。

专利文献1:日本特开2001-320009号公报

但是,在上述半导体装置的制造方法中,存在岛102的下表面无法被密封树脂108充分覆盖的问题。

具体地讲,参照图10的(B),为了在保持岛102的绝缘性的同时、将自半导体元件104产生的热量高效率地排出到外部,重要的是使覆盖岛102的内表面的密封树脂108变薄。

但是,如上所述,密封树脂108是通过采用注塑模具的注塑成形而形成的。因而,在使覆盖岛102的下表面的密封树脂108例如为0.4mm左右时,岛102与注塑模具的内壁之间的间隙变得非常小,非常难以使液状的密封树脂108遍布于该间隙中。因而,未向岛102的下表面与注塑模具之间充分地填充密封树脂108,产生岛102的一部分自密封树脂108露出到外部的问题。另外,为了提高散热性而采用填充有粒子状的填料的树脂材料作为密封树脂108时,密封树脂108的粘度升高,有可能导致频繁发生上述问题。并且,在采用导通电阻较低且耐压较高的大型的离散型晶体管作为半导体元件104时,由于岛102的面积也变大,因此,存在岛102的内表面难以被密封树脂108覆盖的问题。

发明内容

本发明即是鉴于上述问题而形成为的。本发明的主要目的在于提供容易地使密封树脂蔓延到岛的内表面的半导体装置的制造方法及引线框。

本发明的半导体装置的制造方法的特征在于,包括:准备引线框的工序,该引线框包括具有第1主面和位于与上述第1主面相反侧的第2主面的岛、和一端接近上述岛的引线,上述岛的与上述第2主面连续的部分的侧面为倾斜面;在上述岛的上述第1主面上安装半导体元件并将上述半导体元件的电极与上述引线电连接的工序;进行密封的工序,通过采用注塑模具进行的注塑成形,利用密封树脂,也包括上述岛的上述第2主面在内地对上述岛、上述半导体元件及上述引线进行密封,在上述进行密封的工序中,自设置在上述岛的侧方的浇口将液状或半固体形状的密封树脂注入到上述注塑模具的模腔中,使上述密封树脂沿着作为倾斜面的上述岛的侧面流动。

本发明的引线框的特征在于,包括具有安装半导体元件的第1主面和位于与上述第1主面相反侧的第2主面的岛、和一端接近上述岛的引线,将上述岛的与上述第2主面连续的部分的侧面形成为倾斜面。

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