[发明专利]液晶面板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110426351.5 申请日: 2011-12-16
公开(公告)号: CN103163681A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 梁艳峰;黄贤军 申请(专利权)人: 上海中航光电子有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1333;G02F1/136;H01L21/77
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 朱水平;王婧荷
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 液晶面板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种液晶面板,其包括通过封框胶相连的一主动元件阵列基板和一彩色滤光基板,该主动元件阵列基板包括一基底、公共电极线和多个薄膜晶体管,该彩色滤光基板包括一黑矩阵,该液晶面板具有一显示区和一围绕该显示区的边框区,其特征在于,该主动元件阵列基板还包括一具有吸光性质的吸光层,该吸光层位于该边框区内、并位于该基底与该边框区内最接近该基底的金属结构之间。

2.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,该吸光层的外缘与该基底的外缘对齐、该吸光层的内缘比该黑矩阵的外缘更接近该液晶面板的中心。

3.如权利要求2所述的液晶面板,其特征在于,该吸光层的内缘与该封框胶的内缘对齐。

4.如权利要求1-3中任意一项所述的液晶面板,其特征在于,该边框区内最接近该基底的金属结构为该公共电极线。

5.如权利要求4所述的液晶面板,其特征在于,该主动元件阵列基板还包括一位于该边框区内的透明层,该公共电极线、该吸光层、该透明层和该基底依次相叠,该透明层是在形成该多个薄膜晶体管的位于栅极与半导体层之间的透明介质层的同时、利用用于形成该透明介质层的一透明介质材料层制得的,该吸光层是在形成该多个薄膜晶体管的半导体层的同时、利用用于形成该半导体层的一半导体材料层制得的,该公共电极线是在形成该多个薄膜晶体管的源极和漏极的同时、利用用于形成该源极和漏极的一金属层制得的。

6.如权利要求5所述的液晶面板,其特征在于,该半导体材料层为一非晶硅层。

7.一种液晶面板的制造方法,该液晶面板包括一主动元件阵列基板,该主动元件阵列基板包括一基底,该制造方法包括在该基底上形成多个薄膜晶体管的步骤,其特征在于,该制造方法还包括:在形成该多个薄膜晶体管的位于栅极与半导体层之间的透明介质层的同时,利用用于形成该透明介质层的一透明介质材料层在该基底上形成权利要求5中的该透明层;在形成该多个薄膜晶体管的半导体层的同时,利用用于形成该半导体层的一半导体材料层在该透明层上形成权利要求5中的该吸光层;在形成该多个薄膜晶体管的源极和漏极的同时,利用用于形成该源极和漏极的一金属层在该吸光层上形成权利要求5中的该公共电极线。

8.如权利要求7所述的液晶面板的制造方法,其特征在于,该半导体材料层为一非晶硅层。

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