[发明专利]凸块工艺

说明书

技术领域

本发明是有关于一种凸块工艺，特别是有关于一种防止铜离子游离的凸块工艺。

背景技术

由于目前的电子产品越来越轻薄短小，因此内部电路布局亦越来越密集，然而，此种电路布局容易因为相邻的电连接组件距离太近而导致短路的情形。

由此可见，上述现有的技术在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。因此如何能创设一种新型结构的凸块工艺，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的技术存在的缺陷，而提供一种新型结构的凸块工艺，所要解决的技术问题是使其可防止所述铜凸块的铜离子游离而导致电性短路的情形，且由于各该凸块隔离层是可防止所述铜凸块的铜离子游离，因此相邻铜凸块的间距可进一步缩小，进而提升电路布线密度。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种凸块工艺，其中至少包含：提供一硅基板，该硅基板是具有一表面、多个设置在该表面的焊垫及一设置在该表面的保护层，该保护层是具有多个开口，且所述开口是显露所述焊垫；形成一含钛金属层在该硅基板，该含钛金属层是覆盖该保护层及所述焊垫，且该含钛金属层是具有多个第一区及多个位于所述第一区外侧的第二区；形成一光阻层在该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽，所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区且各该开槽是具有一内侧壁；形成多个铜凸块在所述开槽，各该铜凸块是具有一第一顶面及一第一环壁；进行一加热步骤，以使该光阻层的各该开槽形成扩孔，而使各该开槽的该内侧壁及各该铜凸块的该第一环壁之间形成有一间距；形成多个凸块隔离层在所述间距、各该铜凸块的该第一顶面及该第一环壁，且各该凸块隔离层具有一第二顶面；形成多个接合层在所述凸块隔离层的所述第二顶面；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的所述第二区，并使该含钛金属层的各该第一区形成为一位于各该凸块隔离层下的凸块下金属层。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的凸块工艺，其中所述的各该凸块下金属层具有一第二环壁且该第二环壁具有一第一外周长，各该凸块隔离层另具有一第三环壁且该第三环壁具有一第二外周长，该第二外周长不小于该第一外周长。

前述的凸块工艺，其中所述的各该凸块下金属层具有一第二环壁，且各该第二环壁及各该第一环壁为平齐。

前述的凸块工艺，其中所述的凸块下金属层的材质是选自于钛/钨/金、钛/铜或钛/钨/铜其中之一。

前述的凸块工艺，其中所述的该加热工艺的玻璃转换温度是介在70-140℃之间。

前述的凸块工艺，其中所述的接合层的材质是为金。

前述的凸块工艺，其中所述的凸块隔离层的材质是选自于镍、钯或金其中之一。

前述的凸块工艺，其中所述的在形成多个铜凸块在所述开槽的步骤中，各该铜凸块的该第一环壁是接触各该开槽的该内侧壁。

前述的凸块工艺，其中所述的该保护层另具有一显露面，各该凸块隔离层另具有一底面，该显露面及该底面之间是具有一间隙。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为达到上述目的，本发明提供了一种凸块工艺，其包含提供一硅基板，该硅基板是具有一表面、多个设置在该表面的焊垫及一设置在该表面的保护层，该保护层是具有多个开口，且所述开口是显露所述焊垫；形成一含钛金属层在该硅基板，该含钛金属层是覆盖该保护层及所述焊垫，且该含钛金属层是具有多个第一区及多个位于所述第一区外侧的第二区；形成一光阻层在该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽，所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区且各该开槽是具有一内侧壁；形成多个铜凸块在所述开槽，各该铜凸块是具有一第一顶面及一第一环壁；进行一加热步骤，以使该光阻层的各该开槽形成扩孔，而使各该开槽的该内侧壁及各该铜凸块的该第一环壁之间形成有一间距；形成多个凸块隔离层在所述间距、各该铜凸块的该第一顶面及该第一环壁，且各该凸块隔离层是具有一第二顶面；形成多个接合层在所述凸块隔离层的所述第二顶面；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的所述第二区，并使该含钛金属层的各该第一区形成为一位于各该凸块隔离层下的凸块下金属层。由于各该凸块隔离层是包覆各该铜凸块，因此可防止所述铜凸块的铜离子游离而导致电性短路的情形，且由于各该凸块隔离层是可防止所述铜凸块的铜离子游离，因此相邻铜凸块的间距可进一步缩小，进而提升电路布线密度。