[发明专利]凸块工艺

权利要求书

1.一种凸块工艺，其特征在于至少包含：

提供一硅基板，该硅基板是具有一表面、多个设置在该表面的焊垫及一设置在该表面的保护层，该保护层是具有多个开口，且所述开口是显露所述焊垫；

形成一含钛金属层在该硅基板，该含钛金属层是覆盖该保护层及所述焊垫，且该含钛金属层是具有多个第一区及多个位于所述第一区外侧的第二区；

形成一光阻层在该含钛金属层；

图案化该光阻层以形成多个开槽，所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区且各该开槽是具有一内侧壁；

形成多个铜凸块在所述开槽，各该铜凸块是具有一第一顶面及一第一环壁；

进行一加热步骤，以使该光阻层的各该开槽形成扩孔，而使各该开槽的该内侧壁及各该铜凸块的该第一环壁之间形成有一间距；

形成多个凸块隔离层在所述间距、各该铜凸块的该第一顶面及该第一环壁，且各该凸块隔离层具有一第二顶面；

形成多个接合层在所述凸块隔离层的所述第二顶面；

移除该光阻层；以及

移除该含钛金属层的所述第二区，并使该含钛金属层的各该第一区形成为一位于各该凸块隔离层下的凸块下金属层。

2.如权利要求1所述的凸块工艺，其特征在于其中所述的各该凸块下金属层具有一第二环壁且该第二环壁具有一第一外周长，各该凸块隔离层另具有一第三环壁且该第三环壁具有一第二外周长，该第二外周长不小于该第一外周长。

3.如权利要求1所述的凸块工艺，其特征在于其中所述的各该凸块下金属层具有一第二环壁，且各该第二环壁及各该第一环壁为平齐。

4.如权利要求1所述的凸块工艺，其特征在于其中所述的凸块下金属层的材质是选自于钛/钨/金、钛/铜或钛/钨/铜其中之一。

5.如权利要求1所述的凸块工艺，其特征在于其中所述的该加热工艺的玻璃转换温度是介于70-140℃之间。

6.如权利要求1所述的凸块工艺，其特征在于其中所述的接合层的材质是为金。

7.如权利要求1所述的凸块工艺，其特征在于其中所述的凸块隔离层的材质是选自于镍、钯或金其中之一。

8.如权利要求1所述的凸块工艺，其特征在于其中所述的在形成多个铜凸块在所述开槽的步骤中，各该铜凸块的该第一环壁是接触各该开槽的该内侧壁。

9.如权利要求1所述的凸块工艺，其特征在于其中所述的该保护层另具有一显露面，各该凸块隔离层另具有一底面，该显露面及该底面之间是具有一间隙。