[发明专利]显示装置及其结晶化方法有效
申请号: | 201110422143.8 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102543994B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 黄铉彬;朴喆镐;李权炯;秋秉权;崔珉焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/268;H01L21/77 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 结晶 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示装置及其结晶化方法,尤其涉及具有多晶硅的显示装置及其结晶化方法。
背景技术
最近随着信息化时代的发展,对具有薄型、轻量、低功耗等优良特性的平板显示装置产生了需求。平板显示装置包括液晶显示装置或者有机发光装置等。
针对平板显示装置而言,以显示画面的像素为单位具备进行开启/关闭的开关器件(例如,薄膜晶体管)的有源矩阵(Active Matrix)型正成为主流。用于有源矩阵型显示装置的薄膜晶体管采用了多晶硅。由于多晶硅与非晶硅相比,其场效应迁移率高,因此显示装置的响应速度得到了提高,且对温度和光的稳定性也更为优良。将非晶硅沉积之后予以结晶化,从而将其作为多晶硅来使用。
发明内容
本发明的目的在于提供将生产率提高的显示装置及其结晶化方法。
根据本发明实施例的显示装置包括:有源区域,包括分别具有第一电路区域以及图像显示区域的多个单位像素;以及与所述有源区域相邻设置且具有第二电路区域的第一周边区域以及具有第三电路区域的第二周边区域,所述有源区域将所述第一电路区域以及所述第二电路区域沿着相同的假想的直线设置。
将根据本发明实施例的所述第一电路区域和所述图像显示区域可以交替重复地设置。
根据本发明实施例的所述第一电路区域包括所述单位像素的电路部,所述图像显示区域可以包括图像显示部。
将根据本发明实施例的所述第一电路区域以及所述第二电路区域可以沿着行方向设置。
根据本发明实施例的所述第三电路区域可以沿着所述行方向延伸。
根据本发明实施例的所述假想的直线可以分别间隔有相同的距离。
根据本发明实施例的所述假想的直线是两两相邻的以形成多个直线对,所述直线对之间可以间隔有相同的距离。
将根据本发明实施例的所述第一电路区域以及所述第二电路区域可以沿着列方向设置。
根据本发明实施例的所述第三电路区域可以沿着所述列方向设置。
根据本发明实施例的所述假想的直线可以分别间隔有相同的距离。
根据本发明实施例的所述假想的直线是两两相邻的以形成多个直线对,所述直线对之间可以间隔有相同的距离。
根据本发明实施例的显示装置的结晶化方法包括:准备包括有源区域、第一周边区域以及第二周边区域的基板,所述有源区域包括分别具有第一结晶化区域以及第一非结晶化区域的多个单位像素,所述第一周边区域与所述有源区域相邻设置且具有第二结晶化区域以及第二非结晶化区域,所述第二周边区域与所述有源区域相邻设置且具有第三结晶化区域以及第三非结晶化区域;以及对所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域照射激光,从而将非晶硅同时结晶化为多晶硅;将所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域沿着相同的假想的直线设置。
根据本发明实施例的所述第三结晶化区域通过所述激光照射而先于所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域被结晶化,或者可以在结晶化所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域之后被结晶化。
沿着行方向设置根据本发明实施例的所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域,照射所述激光的扫描方向可以为列方向。
根据本发明实施例的所述第三结晶化区域可以沿着所述行方向延伸。
沿着列方向设置根据本发明实施例的所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域,照射所述激光的扫描方向可以为行方向。
根据本发明实施例的所述第三结晶化区域可以沿着所述列方向延伸。
根据本发明实施例的所述激光可以包括脉冲激光或者连续波(continuous wave laser)激光。
根据本发明实施例的所述激光可以通过调节开启/关闭时间或者调节周期来被照射。
根据本发明实施例的显示装置的结晶化方法还可以包括:在结晶化所述结晶化区域之后去除在所述非结晶化区域所提供的所述非晶硅。
根据本发明的实施例,可以同时结晶化有源区域和周边区域。即,可以同时结晶化有源区域的结晶化区域和周边区域的结晶化区域。或者,可以通过一次扫描结晶化有源区域以及周边区域的结晶化区域。从而,即使不用变更激光扫描方向或者旋转激光坐标台(stage),通过一次激光扫描也可以完成结晶化。由此,可以减少显示装置的工序费用以及工序时间。
附图说明
图1为用于说明根据本发明第一实施例的显示装置及其结晶化方法的示意图;
图2为用于说明根据本发明第二实施例的显示装置及其结晶化方法的示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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