[发明专利]显示装置及其结晶化方法有效
申请号: | 201110422143.8 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102543994B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 黄铉彬;朴喆镐;李权炯;秋秉权;崔珉焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/268;H01L21/77 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 结晶 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
有源区域,包括分别具有第一电路区域以及图像显示区域的多个单位像素;以及
与所述有源区域相邻设置的第一周边区域和第二周边区域,所述第一周边区域具有第二电路区域,所述第二周边区域具有第三电路区域;
其中,所述第一电路区域以及所述第二电路区域沿着相同的假想的直线设置。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一电路区域和所述图像显示区域交替重复地设置。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第一电路区域包括所述单位像素的电路部,所述图像显示区域包括图像显示部。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述第一电路区域以及所述第二电路区域沿着行方向设置。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述第三电路区域沿着所述行方向延伸。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述假想的直线分别间隔有相同的距离。
7.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述假想的直线是两两相邻的以形成多个直线对,所述直线对之间间隔有相同的距离。
8.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
将所述第一电路区域以及所述第二电路区域沿着列方向设置。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述第三电路区域沿着所述列方向延伸。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述假想的直线分别间隔有相同的距离。
11.根据权利要求8所述的显示装置,其中,
所述假想的直线是两两相邻的以形成多个直线对,所述直线对之间间隔有相同的距离。
12.一种显示装置的结晶化方法,包括:
准备包括有源区域、第一周边区域以及第二周边区域的基板,所述有源区域包括分别具有第一结晶化区域以及第一非结晶化区域的多个单位像素,所述第一周边区域与所述有源区域相邻设置且具有第二结晶化区域以及第二非结晶化区域,所述第二周边区域与所述有源区域相邻设置且具有第三结晶化区域以及第三非结晶化区域;以及
对所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域照射激光,从而将非晶硅同时结晶化为多晶硅;
将所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域沿着相同的假想的直线设置。
13.根据权利要求12所述的显示装置的结晶化方法,其中,
所述第三结晶化区域通过所述激光照射而先于所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域被结晶化,或者在结晶化所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域之后被结晶化。
14.根据权利要求13所述的显示装置的结晶化方法,其中,沿着行方向设置所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域,照射所述激光的扫描方向为列方向。
15.根据权利要求14所述的显示装置的结晶化方法,其中,所述第三结晶化区域沿着所述行方向延伸。
16.根据权利要求13所述的显示装置的结晶化方法,其中,沿着列方向设置所述第一结晶化区域以及所述第二结晶化区域,照射所述激光的扫描方向为行方向。
17.根据权利要求16所述的显示装置的结晶化方法,其中,所述第三结晶化区域沿着所述列方向延伸。
18.根据权利要求12所述的显示装置的结晶化方法,其中,所述激光包括脉冲激光或者连续波激光。
19.根据权利要求12所述的显示装置的结晶化方法,其中,通过调节开启/关闭时间或者调节周期来照射所述激光。
20.根据权利要求12所述的显示装置的结晶化方法,其中,还包括:
在结晶化所述第一结晶化区域、所述第二结晶化区域、所述第三结晶化区域之后,去除在所述第一非结晶化区域、所述第二非结晶化区域、所述第三非结晶化区域所提供的所述非晶硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的