[发明专利]具有封装的压力源区域的半导体装置及制作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体装置结构及制作方法，且尤其是有关于一种具有封装的压力源区域的半导体装置及制作方法。

背景技术

晶体管如金氧半导体场效晶体管(MOSFET)是绝大多数的半导体装置的核心建块。经常使用外延压力源区域以增加MOS晶体管的信道内的载子迁移率，及从而实现在性能上得到相应的改善。然而，压力源区域及衬底物料具有不同的化学性质(例如，蚀刻率，氧化率，扩散率，及类似者)，增加现有制程整合外延压力源区域的难度。

发明内容

对熟习该技术领域者而言，透过以下详述可立即明白本发明的其它优点及特征。所述及图标的实施例是提供实行本发明的最佳说明。本发明能在不背离本发明的情况下，于各种明显态样中作修改。因此，随附图式是作例示用，而非限制本发明。

本发明为有鉴于前述的问题点所开发者，是为提供一种在半导体衬底上制作半导体装置结构的方法，包括以下步骤：形成上覆该半导体衬底的闸极结构；在该半导体衬底中该闸极结构附近形成凹槽；在该凹槽中形成压力诱导半导体物料；以及在该凹槽形成上覆该压力诱导半导体物料的硅物料。

在另一个实施例中，提供一种在半导体衬底上制作半导体装置结构的方法，包括以下步骤：形成上覆该半导体衬底的闸极结构；在该半导体衬底中该闸极结构附近形成凹槽；在该凹槽中形成压力源区域；以及在该凹槽中外延生长硅物料在该压力源区域的外露表面上。

在另一个实施例中，提供另一种半导体装置。该半导体装置包括：半导体衬底；上覆该半导体衬底的闸极结构；形成在该半导体衬底中接近该闸极结构的压力源区域；以及上覆且封装该压力源区域的硅物料。

本概要以简化的形式提供概念选择，下面进一步说明详细描述。本概要并非旨在确指本发明的关键特征或必要特征，也不是拟用于确定本发明的权利要求。

以下叙述将部份提出本发明的其它特征及附加优点，而对熟习该技术领域者在审视下列叙述后或可从本发明的实行学习而使得本发明部分变为明显。藉由附加的权利要求中特别提出的处，是能实现及获得本发明的该优点及特征。

附图说明

图1至图6为示范实施例的半导体装置结构及制作半导体装置结构的方法的剖视图。

主要组件符号说明

100  半导体装置结构

102  半导体物料

104  闸极结构

106  电介质物料

108  导电闸极电极物料

110  介电封盖物料

112  间隔物

114  凹槽

116  凹槽

118  内部侧壁表面

120  内部侧壁表面

122  压力诱导半导体物料

124  压力源区域

126  压力源区域

128  硅物料

132  源极/漏极区域

134  源极/漏极区域。

具体实施方式

本文所述及的技术可用于制造MOS晶体管装置，包括有压力源区域，以增加在信道区域的载子迁移率。虽然“MOS装置”词正确是指具有金属闸极电极及氧化闸极绝缘层的装置，该词将被用于指任何半导体装置，半导体装置包括有导电闸极电极(无论是金属或其它导电物料)，导电闸极电极是位在闸极绝缘层(无论是氧化层或其它绝缘层)上，是位在半导体衬底上。制作半导体装置的各个步骤是众所周知的，所以许多传统的步骤，为简洁起见，本文将只简要地提及或将忽略而完全没有提供众所周知的制程的详细信息。

以下参照第图面说明本发明的实施形态。