[发明专利]具有封装的压力源区域的半导体装置及制作方法

权利要求书

1.一种在半导体衬底上制作半导体装置结构的方法，该方法包括：

形成上覆该半导体衬底的闸极结构；

在该半导体衬底中该闸极结构附近形成凹槽；

在该凹槽中形成压力诱导半导体物料；以及

在该凹槽中形成上覆该压力诱导半导体物料的硅物料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在该凹槽形成该压力诱导半导体物料包括：

沉积上覆该闸极结构及该凹槽的该压力诱导半导体物料层；及

移除上覆该闸极结构的该压力诱导半导体物料。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于沉积该压力诱导半导体物料层包括沉积该压力诱导半导体物料层至大于或等于该凹槽的深度的第一厚度。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：

移除该压力诱导半导体物料包括各向异性蚀刻该压力诱导半导体物料层以暴露该闸极结构；以及

各向异性蚀刻该压力诱导半导体物料层产生压力源区域，该压力源区域包含接近该凹槽毗邻该闸极结构的侧壁的该压力诱导半导体物料。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在该凹槽中形成该硅物料包括在该压力源区域的外露表面上及在该凹槽的该半导体衬底的外露表面上外延生长该硅物料。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，外延生长该硅物料包括外延生长该硅物料至大于或等于该凹槽的该深度的第二厚度。

7.如权利要求5所述的方法，还包括在该凹槽中外延生长该硅物料后，在该闸极结构附近形成间隔的源极及漏极区域，其中，该压力源区域是设置在该源极及漏极区域内。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成间隔的源极及漏极区域包括植入离子到该硅物料至大于或等于该凹槽的该深度的深度。

9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，移除上覆该闸极结构的该压力诱导半导体物料包括各向异性蚀刻该压力诱导半导体物料层。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在该凹槽中形成该硅物料包括在该压力诱导半导体物料的外露表面上及在该凹槽的该半导体衬底的外露表面上外延生长该硅物料。

11.如权利要求1所述的方法，还包括在该凹槽中形成该硅物料后，在该闸极结构附近形成间隔的源极及漏极区域，其中，在该凹槽中的该压力诱导半导体物料是设置在该源极及漏极区域内。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，形成间隔的源极及漏极区域包括使用该闸极结构作为植入掩模，以将决定导电性杂质类型的离子植入到该硅物料内，其特征在于，该离子扩散至大于该凹槽相对于该半导体衬底的表面的深度的深度。

13.一种在半导体衬底上制作半导体装置结构的方法，该方法包括：

形成上覆该半导体衬底的闸极结构；

在该半导体衬底中该闸极结构附近形成凹槽；

在该凹槽中形成压力源区域；以及

在该凹槽中外延生长硅物料在该压力源区域的外露表面上。

14.如权利要求13所述的方法，还包括在该闸极结构附近形成侧壁间隔物，其特征在于，在该半导体衬底形成该凹槽包括使用该闸极结构及该侧壁间隔物作为蚀刻掩模，以各向异性蚀刻该半导体衬底。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，该凹槽具有与该侧壁间隔物对齐的侧壁，及其中：

形成压力源区域包括：

共形沉积上覆该闸极结构、该侧壁间隔物及该半导体衬底的压力诱导半导体物料层；以及

从该闸极结构各向异性蚀刻该压力诱导半导体物料层，以暴露该闸极结构，但保留该凹槽中的部分该压力诱导半导体物料层完好不被蚀刻，该部分相邻于与该侧壁间隔物对齐的该侧壁。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，共形沉积该压力诱导半导体物料层包括共形沉积该压力诱导半导体物料层至大于或等于该凹槽的深度的第一厚度。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，外延生长该硅物料包括外延生长该硅物料至大于或等于该凹槽的该深度的第二厚度。