[发明专利]形成半导体器件的图案的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的图案的方法，包括以下步骤：

在包括第一区域、第二区域和第三区域的叠层之上形成硬掩模层；

在所述第一区域的硬掩模层上形成第一图案，在所述第二区域和所述第三区域的硬掩模层上形成第二图案和第三图案，所述第二图案和第三图案包括第一辅助层和形成在所述第一辅助层的两侧上的间隔件；

通过刻蚀由所述第一图案、第二图案和第三图案暴露出的硬掩模层来形成硬掩模图案；以及

通过刻蚀经由所述硬掩模图案暴露出的所述叠层，在所述第一区域中形成字线，在所述第二区域中形成虚设字线以及在所述第三区域中形成选择线。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一图案的步骤包括以下步骤：

在所述硬掩模层的整个表面上形成所述第一辅助层；

通过刻蚀所述第一辅助层来形成第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽，其中所述第一沟槽被设置在所述第一区域中，所述第二沟槽被设置在所述第一区域与所述第二区域的边界处，所述第三沟槽被设置在所述第二区域与所述第三区域的边界处，以及所述第四沟槽被设置在所述第三区域中；

沿着包括所述第一沟槽、所述第二沟槽、所述第三沟槽和所述第四沟槽的整个表面形成第二辅助层；

执行所述第二辅助层的第一刻蚀工艺，其中所述第一区域的所述第二辅助层作为第一图案保留在所述第一沟槽的侧壁上以及所述第二沟槽的靠近所述第一区域的侧壁上；以及

去除所述第一区域的所述第一辅助层。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述第一刻蚀工艺的执行包括以下步骤：

在所述第二辅助层的整个表面上形成第三辅助层以填充所述第一沟槽、所述第二沟槽、所述第三沟槽和所述第四沟槽；

在第三辅助层上形成保护图案，所述保护图案覆盖所述第二区域和所述第三区域以及所述第二沟槽的区域的一部分；

通过使用所述保护图案作为刻蚀掩模来刻蚀所述第三辅助层的被暴露出的区域，暴露出所述第一区域的所述第二辅助层；

利用回蚀法来刻蚀所述第二辅助图案的被暴露出的区域，以暴露出所述第一区域中的所述硬掩模层和所述第一辅助层的顶表面；以及

去除所述保护图案和所述第三辅助层。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述保护图案由光致抗蚀剂材料形成。

5.如权利要求3所述的方法，其中，所述第三辅助层由旋涂碳层或底部抗反射涂敷层形成。

6.如权利要求2所述的方法，其中，形成所述第二图案和所述第三图案的步骤包括以下步骤：在所述第二辅助层的所述第一刻蚀工艺之后，通过执行利用回蚀法刻蚀所述第二区域和所述第三区域中的所述第二辅助层的第二刻蚀工艺，在所述第二沟槽的靠近所述第二区域的另一个侧壁上以及在所述第三沟槽和所述第四沟槽的侧壁上形成所述间隔件，

其中，在所述第二区域和所述第三区域中暴露出所述硬掩模层。

7.如权利要求2所述的方法，其中，所述第一沟槽的宽度为所述第一沟槽之间的间隔的三倍。

8.如权利要求2所述的方法，其中，所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的间隔与所述第一沟槽之间的间隔相同。

9.如权利要求2所述的方法，其中，所述第二沟槽的宽度与所述第一沟槽的宽度相同。

10.如权利要求2所述的方法，其中，所述第四沟槽的宽度比所述第一沟槽的宽度更大。

11.如权利要求2所述的方法，其中，所述第二沟槽与所述第三沟槽之间的间隔等于或大于所述第一沟槽之间的间隔。