[发明专利]晶片封装体及其制作方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一半导体基底，具有相反的一第一表面与一第二表面，且该第一表面具有一凹槽；

一漏极电极，配置于该第一表面上并覆盖该凹槽；

一源极电极，配置于该第二表面上，且与覆盖该凹槽的该漏极电极对应设置；以及

一栅极电极，配置于该第二表面上。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一导电结构，电性连接该栅极电极，并延伸至该第一表面上。

3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该半导体基底具有一对应于该栅极电极的通孔，该导电结构位于该通孔中并连接该栅极电极。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该通孔的邻近该第二表面的部分具有一阶梯式侧壁。

5.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一绝缘层，位于该第二表面上，该绝缘层覆盖该栅极电极并具有一开口以暴露出该源极电极；以及

一导电层，配置于该绝缘层上并经由该开口连接该源极电极。

6.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一阻挡层，配置于该第一表面上，并位于该漏极电极与该导电结构之间。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第一表面具有多个凹槽，且该漏极电极覆盖所述凹槽。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一绝缘层，位于该导电结构与该半导体基底之间，以使该导电结构与该半导体基底电性绝缘。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该漏极电极顺应性地覆盖该凹槽的底部与侧壁。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该凹槽的底部与该第二表面的间距为150微米至5微米。

11.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一半导体基底，具有相反的一第一表面与一第二表面，并具有至少一凹槽，该凹槽自该第一表面向该第二表面延伸，且该凹槽具有一底部；

一漏极电极，配置于该第一表面上并覆盖该凹槽；

一源极电极，配置于该第二表面上，且与覆盖该凹槽的该漏极电极对应设置；

一栅极电极，配置于该第二表面上；

一导电结构，电性连接该栅极电极，并贯穿该半导体基底以延伸至该第一表面上；

一绝缘层，位于该第二表面上，该绝缘层覆盖该栅极电极并具有一开口以暴露出该源极电极；以及

一导电层，配置于该绝缘层上并经由该开口连接该源极电极。

12.一种晶片封装体的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底、一源极电极与一栅极电极，其中该半导体基底具有相反的一第一表面与一第二表面，该源极电极与该栅极电极位于该第二表面上；

于该第一表面上形成一第一凹槽，该第一凹槽对应于该源极电极；以及

于该第一表面上形成一覆盖该第一凹槽的漏极电极。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体的制作方法，其特征在于，还包括：

于该半导体基底上形成一通孔，该通孔对应于该栅极电极；以及

于该通孔中形成一导电结构，该导电结构连接该栅极电极并延伸至该第一表面上。

14.根据权利要求13所述的晶片封装体的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成该导电结构之前，于该第一表面与该通孔的内壁上形成一绝缘层，以使该导电结构与该半导体基底电性绝缘。

15.根据权利要求13所述的晶片封装体的制作方法，其特征在于，该漏极电极与该导电结构于同一步骤中形成。

16.根据权利要求15所述的晶片封装体的制作方法，其特征在于，该漏极电极与该导电结构的形成包括：

在形成该第一凹槽与该通孔之后，于该第一表面上并于该第一凹槽与该通孔之间形成一电镀罩幕层；

进行一电镀制程，以于该第一凹槽、该通孔以及该电镀罩幕层暴露出的该第一表面上形成该漏极电极与该导电结构；以及

移除该电镀罩幕层。