[发明专利]等离子显示屏的封接方法

说明书

技术领域

本发明涉及等离子显示屏制造领域，具体而言，涉及一种等离子显示屏的封接方法。

背景技术

最近几年，液晶，PDP等平板电视有了迅猛的发展。PDP电视因为易于实现大型化，在42寸以上电视中占据主要的地位。按照放电方式的不同，PDP分为直流型(DC-PDP)和交流型(AC-PDP)，其中前者的电极暴露在放电空间中，后者的电极被介质层所覆盖，未直接暴露在放电空间中。在目前的市场中，AC-PDP占主导地位。AC-PDP的介质层抗离子溅射能力较弱，如果直接暴露在放电空间中，其表面将因受到离子溅射而发生变化，最终导致PDP着火电压升高，寿命降低，因此需要在介质层表面覆盖一层保护膜。在众多的材料中，MgO一直被用作传统的保护膜。

由于介质保护膜容易与空气中和H₂O和CO₂发生如下反应(以纯MgO为例)MgO+CO₂＝MgCO₃、MgO+H₂O＝Mg(OH)₂，反应生成的碳酸物和氢氧化物附着在保护膜表面，严重影响保护膜性能，致使PDP屏着火电压升高，因此在PDP屏制作的过程中，应尽量减少保护膜与杂质气体接触，发生反应而变质。通常，PDP屏的封接工艺包括以下步骤：提供设置有PDP放电电极、介质层及介质保护膜的上基板和设置有寻址电极及障壁的下基板，将上基板与下基板叠置在一起放入封排炉，其中上基板或下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料，封接曲线示意图如图1所示，经过升温(0-a)、第一次保温(a-b)、第一降温(b-c)、第二次保温(c-d)、及第二次降温(d-e)步骤完成等离子显示屏的封接，其中，T1表示低熔点玻璃的软化点温度，T2表示第一次保温的温度，T3表示第二次保温的温度，T1处的温度低于T2，使得封接材料能够充分熔化，前后基板形成密闭空间。在整个过程中还包括上基板和下基板形成的放电单元中杂质气体的抽出及封接将近完成时放电气体(又叫工作气体)的充入。为了封接的稳定性，通常在第二次保温阶段的起始点开始对屏进行抽气，在T3保温阶段的排气是为了杂质气体的有效排出。但是由于第二次保温阶段的温度低于一定真空度下保护膜变质生成的碳酸物与氢氧化物的热分解温度，因此，采用该封接工艺，在升温、第一次保温及第一降温过程中，保护膜仍然与屏内的杂质气体接触并发生反应而变质，在保温阶段，根据碳酸物与氢氧化物的热分解曲线，其示意图如图2所示(以MgCO₃、CaCO₃、SrCO₃为例)，在保温温度低于一定真空度下保护膜变质生成的碳酸物与氢氧化物的热分解温度的情况下，先前的变质生成物不能分解，仍然附着在保护膜表面。因此，应开发新型的封接工艺，减少封接过程中保护膜与杂质气体的接触，并促使保护膜变质生成物充分分解并还原成氧化物，杂质气体被充分排出。

发明内容

本发明旨在提供一种等离子显示屏的封接方法，以解决现有技术中封接过程中保护膜与屏内的杂质气体较长时间的接触并发生反应而变质的技术问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种等离子显示屏的封接方法，包括以下步骤：提供设置有PDP放电电极、介质层及介质保护膜的上基板和设置有寻址电极、障壁及荧光粉的下基板；将上基板与下基板叠置在一起放入封排炉，其中上基板或下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料，经过第一升温、第一次保温、第二次升温、第二次保温、第一次降温、第三次保温及第二降温步骤完成等离子显示屏的封接，第一次保温的温度高于低熔点玻璃的软化点，在温度升至低熔点玻璃的软化点至第二次保温起始点之间任意时间点开始抽气，以排出上基板与下基板形成的放电单元中的杂质气体。

进一步地，第一次保温的温度为350-500℃，保温时间为5-30min，第二次保温温度为400-550℃，时间为10-30min，第三次保温温度为300-550℃，时间为3-10h。

进一步地，第一次保温的温度为350-500℃，保温时间为5-30min，第二次保温温度为400-550℃，时间为10-30min，第三次保温温度与第二次保温温度相同，时间为3-10h。

进一步地，当温度升至低熔点玻璃的软化点时开始抽气，以排出上基板与下基板形成的放电单元中的杂质气体。

进一步地，抽气的过程中间断性的插入向放电单元中充入保护气体的步骤。