[发明专利]等离子显示屏的封接方法

权利要求书

1.一种等离子显示屏的封接方法，包括以下步骤：

提供设置有PDP放电电极、介质层及介质保护膜的上基板和设置有寻址电极、障壁及荧光粉的下基板；

将所述上基板与所述下基板叠置在一起放入封排炉，其中所述上基板或所述下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料，经过第一升温、第一次保温、第二次升温、第二次保温、第一次降温、第三次保温及第二降温步骤完成所述等离子显示屏的封接，

其特征在于，所述第一次保温的温度高于所述低熔点玻璃的软化点，在温度升至所述低熔点玻璃的软化点至第二次保温起始点之间任意时间点开始抽气，以排出所述上基板与所述下基板形成的放电单元中的杂质气体。

2.根据权利要求1所述的封接方法，其特征在于，所述第一次保温的温度为350-500℃，保温时间为5-30min，所述第二次保温温度为400-550℃，时间为10-30min，所述第三次保温温度为300-550℃，时间为3-10h。

3.根据权利要求1所述的封接方法，其特征在于，所述第一次保温的温度为350-500℃，保温时间为5-30min，所述第二次保温温度为400-550℃，时间为10-30min，所述第三次保温温度与所述第二次保温温度相同，时间为3-10h。

4.根据权利要求1所述的封接方法，其特征在于，当温度升至所述低熔点玻璃的软化点时开始抽气，以排出所述上基板与所述下基板形成的放电单元中的杂质气体。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的封接方法，其特征在于，所述抽气的过程中间断性的插入向所述放电单元中充入保护气体的步骤。

6.根据权利要求5所述的封接方法，其特征在于，所述保护气体选自由N₂、He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn、去除CO₂的干洁空气组成的组中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的封接方法，其特征在于，所述保护气体包括体积百分含量为85％～99.5％惰性气体以及体积百分含量为0.5％～15％的含碳、氢的还原性有机气体。

8.根据权利要求7所述的封接方法，其特征在于，所述含碳、氢的还原性有机气体选自乙烯、乙炔、丙烯、乙烷、丙烷、丁炔、丁烷、甲基乙炔、丙乙烯、环丙烷中的一种或两种。

9.根据权利要求5所述的封接方法，其特征在于，充入所述保护气体的气压在0.2-0.9atm，时间为0-5min。

10.根据权利要求9所述的封接方法，其特征在于，所述抽气步骤中间断性的包括多次所述充入保护气体的步骤。