[发明专利]发光元件无效
| 申请号: | 201110418590.6 | 申请日: | 2011-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN102569332A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
| 发明(设计)人: | 海野恒弘 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 | ||
本申请是基于2010年12月14日提交的第2010-277879号日本专利申请,其全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及一种发光元件。
背景技术
与白炽灯泡的生产停止的趋势相一致,发光二极管的发光效率已经提高。因此,代替白炽灯泡的用于照明的发光二极管的使用在增加。而且,据推测如果发光二极管的发光效率进一步提高,代替荧光灯管的用于照明目的的发光二极管的使用将进一步增加。因此,发光二极管的发光效率的提高不仅仅在能量节约方面而且在实现与荧光灯管等相同或以上的亮度的发光二极管的生产成本降低和可靠性提高方面是重要的。
作为常规发光元件,已知具有在发光二级管芯片的前表面侧上未形成电极的倒装芯片结构的发光二极管(例如,第JP-T-2008-523637PCT国际申请公布文本的日文译本)。JP-T-2008-523637所述的发光元件具有在外延层的背面侧上形成正电极和负电极的结构,使得当光从芯片的前表面发射出时,光没有被阻挡。因此,在JP-T-2008-523637所述的发光元件中,光提取效率可以提高到高达约70%。
发明内容
然而,在JP-T-2008-523637所述的发光元件中,尽管光电转换效率已经提高到高达55%左右,但是大约一半的供应到发光元件的能量不能作为光被提取到发光元件的外部。不能被提取到发光元件的外部的能量转变成热量,并且该热量从发光元件中释放出来。这里,以热的形式从发光元件释放出的能量不仅仅使光电转换效率降低而且使发光元件的温度升高。在发光元件的温度升高的情况下,会导致光电转换效率降低以及发光元件的寿命减少。
因此,本发明的目的是提供一种具有高发光效率的发光元件。
为了解决上述的问题,本发明提供给了一种如下所述的发光元件。
根据本发明的一个方面,发光元件包含:
支撑衬底,
设置在支撑衬底上的第一导电型的第一导电型层,
设置在第一导电型层上的发射光的活性层,
设置在活性层上的第二导电型的第二导电型层,所述第二导电型与第一导电型不同,
与第一导电型层的部分表面接触的第一电极,以及
与第二导电型层的部分表面接触的第二电极;
其中,所述第一电极与第一导电型层的表面接触,所述表面与位于活性层的正上方或正下方的区域所对应的第一导电型层的表面不同,
所述第二电极与第二导电型层的表面接触,所述表面与位于活性层的正上方或正下方的区域所对应的第二导电型层的表面不同。
在发光元件中,第一电极可以包含多个电极,第二电极可以包含多个电极,在平面图中第一电极和第二电极可以分别以线性形状形成,并且第一电极和第二电极可以彼此平行排列。
发光元件可以进一步包括:
设置在支撑衬底上的多个发光部,所述每个发光部包含第一导电型层和活性层并且由多个凹槽将所述发光部彼此分隔,
其中,第二电极设置在位于多个凹槽的每个凹槽下方的第二导电型层的表面上,并且该表面位于活性层的相对侧,
第一电极设置在多个发光部的每个发光部的第一导电型层的表面上,并且该表面位于第二导电型层的一侧,该表面上未设有活性层。
发光元件可以进一步包括:
设置在支撑衬底和第二导电型层之间的反射部,所述反射部向第一导电型层反射光,以及
设置在反射部和第二导电型层之间的与设有第二电极的区域不同的区域上的透明绝缘层,所述透明绝缘层透射光并且具有电绝缘特性。
在发光元件中,一个发光部的第一电极和与相邻所述一个发光部的另一个发光部的第二电极可以彼此电连接,从而一个发光部和另一个发光部以串联方式电连接。
在发光元件中,一个发光部的第一电极和与相邻所述一个发光部的另一个发光部的第一电极可以彼此电连接,并且一个发光部的第二电极和与相邻所述一个发光部的另一个发光部的第二电极可以彼此电连接,从而一个发光部和另一个发光部以并联的方式电连接。
根据本发明的另一方面,发光元件包含:
支撑衬底,
设置在支撑衬底上的第一导电型的第一导电型层,
设置在第一导电型层上的发射光的活性层,
设置在活性层上的第二导电型的第二导电型层,所述第二导电型与所述第一导电型不同,
与第一导电型层的表面接触的第一电极,所述表面位于活性层的相对侧并且离开活性层的正下方的区域;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





