[发明专利]发光元件无效

专利信息
申请号: 201110418590.6 申请日: 2011-12-14
公开(公告)号: CN102569332A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 海野恒弘 申请(专利权)人: 日立电线株式会社
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;於毓桢
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种发光元件,具有:

支撑衬底,

设置在所述支撑衬底上的第一导电型的第一导电型层,

设置在所述第一导电型层上的发射光的活性层,

设置在所述活性层上的第二导电型的第二导电型层,所述第二导电型与所述第一导电型不同,

与所述第一导电型层的部分表面接触的第一电极,以及

与所述第二导电型层的部分表面接触的第二电极;

其中,所述第一电极与所述第一导电型层接触的表面与位于所述活性层的正上方或正下方的区域所对应的所述第一导电型层的表面不同,

所述第二电极与所述第二导电型层接触的表面与位于所述活性层的正上方或正下方的区域所对应的所述第二导电型层的表面不同。

2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,所述第一电极包含多个电极,所述第二电极包含多个电极,在平面图中所述第一电极和所述第二电极分别形成为线性形状,并且在平面图中所述第一电极和所述第二电极彼此平行排列。

3.根据权利要求2所述的发光元件,其特征在于,进一步包括:

设置在所述支撑衬底上的多个发光部,每个发光部包含所述第一导电型层和所述活性层,并且由多个凹槽将所述发光部彼此分隔,

其中,所述第二电极设置在所述多个凹槽的每个凹槽下方的所述第二导电型层的表面上,并且该表面位于所述活性层的相对侧,

所述第一电极设置在所述多个发光部的每个发光部的所述第一导电型层的表面上,并且该表面位于所述第二导电型层的一侧,该表面上未设置有所述活性层。

4.根据权利要求3所述的发光元件,其特征在于,进一步包括:

设置在所述支撑衬底和所述第二导电型层之间的反射部,所述反射部将光反射向所述第一导电型层,以及

设置在所述反射部和所述第二导电型层之间的与设有所述第二电极的区域不同的区域上的透明绝缘层,所述透明绝缘层透射光并且具有电绝缘特性。

5.根据权利要求4所述的发光元件,其特征在于,一个发光部的第一电极与相邻所述一个发光部的另一个发光部的第二电极彼此电连接,从而所述一个发光部和所述另一个发光部以串联方式电连接。

6.根据权利要求4所述的发光元件,其特征在于,一个发光部的第一电极与相邻所述一个发光部的另一个发光部的第一电极彼此电连接,并且所述一个发光部的第二电极与相邻所述一个发光部的所述另一个发光部的第二电极彼此电连接,从而所述一个发光部和所述另一个发光部以并联方式电连接。

7.一种发光元件,包含:

支撑衬底,

设置在所述支撑衬底上的第一导电型的第一导电型层,

设置在所述第一导电型层上的发射光的活性层,

设置在所述活性层上的第二导电型的第二导电型层,所述第二导电型与所述第一导电型不同,

与所述第一导电型层的表面接触的第一电极,所述表面位于所述活性层的相对侧并且离开所述活性层的正下方的区域;

与所述第二导电型层的位于所述活性层的相对侧的部分表面接触的第二电极,以及

设置在所述第二电极正下方的区域所对应的区域上的、替代所述活性层的绝缘部。

8.一种发光元件,包含:

支撑衬底;

设置在所述支撑衬底上的第一导电型的第一导电型层;

设置在所述第一导电型层上的发射光的活性层;

设置在所述活性层上的第二导电型的第二导电型层,所述第二导电型与所述第一导电型不同;

与所述第一导电型层的表面接触的第一电极,所述表面位于活性层的一侧并且因去除所述活性层而暴露;

与所述第二导电型层的位于所述活性层的相对侧的部分表面接触的第二电极,以及

设置在所述第二电极正下方的区域所对应的区域上的、替代所述活性层的绝缘部。

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