[发明专利]一种亚稳态面心立方相块体钴金属及其制备方法无效
申请号: | 201110418545.0 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN103157793A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 孟庆坤;赵新青 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | B22F3/16 | 分类号: | B22F3/16;C22C19/07;C22B23/02 |
代理公司: | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人: | 李强 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 亚稳态 立方 块体 金属 及其 制备 方法 | ||
1.一种亚稳态面心立方相块体钴金属的制备方法,其特征在于包括:
取预定重量的钴粉;
压结步骤,将所取的钴粉压制成所需形状的素坯;
烧结步骤,将压制所得的素坯在预定的温度、时间和气氛下进行烧结。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于:
所述预定重量根据所述块体钴金属的厚度和所用模具的大小确定;
所述压结步骤系使用磨具在压片机上进行。
3.根据权利要求1的方法,其特征在于:
所述钴粉的粒径小于30μm,采用CuKa靶,该钴粉的X射线衍射图谱在扣除背底和剥离Ka2后,fcc相(200)晶面衍射峰高度与hcp相(101)晶面衍射峰高度的比值为0.01~20;
所述压结步骤中采用的压结压强为60MPa~500MPa,保压时间为1秒~10分钟。
4.根据权利要求1的方法,其特征在于所述烧结步骤包括:
将压结成型后的所述素坯进行真空烧结,烧结温度为600℃~1400℃,烧结时间为0.5小时~10小时。
5.根据权利要求1的方法,其特征在于所述烧结步骤包括:
将压结成型后的所述素坯在氢气氛中进行烧结,烧结温度为600℃~1400℃,烧结时间为0.5小时~10小时。
6.根据权利要求4或5的方法,其特征在于进一步包括在所述烧结之后空冷。
7.根据权利要求4或5的方法,其特征在于进一步包括在所述烧结之后淬火。
8.根据权利要求7的方法,其特征在于进一步包括:
在所述烧结之后和所述淬火之前空冷2秒~60秒。
9.根据权利要求1的方法,其特征在于进一步包括:
在所述取预定重量的钴粉的步骤之后,在表面皿中将所述钴粉用无水乙醇浸润,然后在空气中放置2小时。
10.用根据权利要求1-9之一的方法制备的亚稳态面心立方相块体钴金属。
11.一种亚稳态面心立方相块体钴金属,其特征在于,采用CuKa靶,该金属的X射线衍射图谱在扣除背底和剥离Ka2后,fcc相(200)晶面衍射峰高度与hcp相(101)晶面衍射峰高度的比值大于0.5。
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