[发明专利]形成较小高差的半导体组件导电接触及半导体组件的方法

权利要求书

1.一种形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，其特征在于，包括：

形成多个闸极；

在各闸极上形成缓冲层；

形成绝缘层，填入所述各闸极间的空隙；

形成与所述多个闸极交错的长条型光阻图案；

以所述多个闸极和所述长条型光阻图案作为罩幕，使用自对准制程蚀刻该绝缘层，形成多个第一开口；

形成导电接触层，填入各第一开口；

对所述导电接触层进行第一化学机械研磨制程；

移除所述缓冲层；以及

对所述导电接触层进行第二化学机械研磨制程。

2.根据权利要求1所述的形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，其特征在于，所述各闸极包括位于基底上的闸极介电层、位于所述闸极介电层上的闸电极层和所述闸电极层上的盖层。

3.根据权利要求1所述的形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，其特征在于，形成所述多个闸极和所述缓冲层的步骤包括：

提供基底；

在所述基底上形成闸极介电层；

在所述闸极介电层上形成闸电极层；

在所述闸电极层上形成盖层；

在所述盖层上形成所述缓冲层；以及

图案化所述闸极介电层、所述闸电极层、所述盖层和所述缓冲层。

4.根据权利要求1所述的形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，其特征在于，形成所述多个闸极和所述缓冲层的步骤包括：

提供基底；

在所述基底上形成闸极介电层；

在所述闸极介电层上形成闸电极层；

在所述闸电极层上形成盖层；

图案化所述闸极介电层、所述闸极介电层和所述盖层，形成所述多个闸极；

形成所述绝缘层，填入所述各闸极间的空隙；

对所述绝缘层进行第三化学机械研磨制程，直到暴露所述盖层；

移除所述盖层和蚀刻所述闸电极层，形成多个第二开口；以及

形成所述缓冲层，填入所述多个第二开口。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，其特征在于，所述缓冲层包括碳、氮化硅或氧化硅。

6.根据权利要求1-4中任意一项所述的形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，其特征在于，所述导电接触层包括多晶硅。

7.根据权利要求1-4中任意一项所述的形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，其特征在于，所述闸电极层包括多晶硅。

8.根据权利要求1-4中任意一项所述的形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，其特征在于，进行所述第二化学机械研磨制程后，所述闸极和所述导电接触层大体上具有相同的高度。

9.根据权利要求1-4中任意一项所述的形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，其特征在于，进行所述第二化学机械研磨制程后，所述盖层的表面与所述导电接触层的表面大体上共面。

10.根据权利要求1-4中任意一项所述的形成具有较小高差的半导体组件导电接触的方法，其特征在于，进行所述第二化学机械研磨制程后，所述闸电极层的表面与所述导电接触层的表面大体上共面。

11.一种形成半导体组件的方法，其特征在于，包括：

形成多个闸极；

在各闸极上形成缓冲层；

形成绝缘层，填入所述各闸极间的空隙；

形成与所述多个闸极交错的长条型光阻图案；

以所述多个闸极和所述长条型光阻图案作为罩幕，使用自对准蚀刻制程对该绝缘层进行蚀刻，形成多个第一开口，所述长条型光阻图案下的部分缓冲层在所述自对准蚀刻制程中未被蚀刻，而未被所述长条型光阻图案覆盖的部分缓冲层被蚀刻，因此在以自对准蚀刻制程对所述绝缘层进行蚀刻后，被所述长条型光阻图案覆盖的部分缓冲层的厚度大于未被所述长条型光阻图案覆盖的缓冲层的厚度；

形成导电接触层，填入所述多个第一开口；

对所述导电接触层进行第一化学机械研磨制程；

移除所述缓冲层；以及

对所述导电接触层进行第二化学机械研磨制程，其中，在进行所述第二化学机械研磨制程之后，所述闸极与所述导电接触层大体上有相同的高度。