[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成低K介质层；

通过等离子增强化学气相沉积工艺在所述低K介质层上形成粘附层；

在所述粘附层上形成含有掩模图形的掩模层；

以含有掩模图形的掩模层为掩模对所述粘附层和低K介质层进行刻蚀，形成沟槽；

对所述沟槽进行清洗。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述粘附层的厚度在20～的范围内。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述粘附层为氧化硅。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，沉积所述粘附层采用O₂、SiH₄及He，O₂的流量在50～1000sccm范围内，SiH₄的流量在50～1000sccm范围内，He的流量在50～1000sccm范围内，反应室温度在300～400℃范围内，反应室压强在1～7Torr范围内，射频源功率在450～550W范围内。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述沟槽进行清洗的步骤包括：通过氢氟酸溶液对沟槽进行清洗。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中水和氢氟酸的体积比在300∶1～1000∶1范围内。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述提供衬底，在所述衬底上形成低K介质层的步骤包括：在提供衬底之后，形成低K介质层之前，在衬底上形成阻挡层。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为铜阻挡层或铝阻挡层。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为铜阻挡层，所述铜阻挡层为氮化硅。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述粘附层上形成含有掩模图形的掩模层的步骤包括：

在所述粘附层上形成掩模层；

在所述掩模层上形成光刻胶层；

图形化所述光刻胶，形成光刻胶图形；

以所述光刻胶图形为掩模图形化所述掩模层，形成掩模图形。