[发明专利]多通道半导体存储器装置以及包括该装置的半导体装置

说明书

本申请要求于2010年11月30日提交的第10-2010-0120688号韩国专利申请的权益，该申请的全部通过引用合并于此。

技术领域

示例性实施例一种数据存储装置，更具体地说，涉及一种具有多个堆叠的通道存储器的多通道半导体存储器装置、包括所述多通道半导体存储器装置的半导体装置以及驱动这样的通道存储器的方法。

背景技术

随着电子装置变得更轻、更薄、更短、更小，实现这种缩小的重要因素是作为这样的电子装置的关键组件的半导体封装件的高密度安装。

在计算机或其它电子装置中，在封装件小型化的同时，半导体装置(诸如随机存取存储器(RAM)和闪存)的大小在增大以实现存储器容量的增大。用于减小封装件大小的方法已被开发。例如，根据一种方法，堆叠式半导体封装件被配置为包括多个堆叠的半导体芯片或多个半导体装置封装件。根据另一种方法，具有多个半导体芯片的半导体模块、多个半导体装置封装件和/或堆叠式半导体封装件被安装在印刷电路板(PCB)的至少一个表面上。

这样的封装件可被分类为半导体芯片堆叠式封装件，这与包括具有不同功能的多个半导体芯片的多芯片封装件(MCP)等同。半导体芯片堆叠式封装件包括多个堆叠的半导体芯片以实现高容量。

半导体芯片堆叠式封装件可以是三维(3D)布置技术的产品或应用。使用3D布置技术，多个存储器芯片被堆叠以提高半导体存储器的集成度。作为半导体芯片堆叠式封装件，多通道DRAM装置被开发以满足对于高密度和高容量存储器的需要并提高系统性能。

由于多通道半导体存储器装置具有堆叠了多个半导体芯片(或通道存储器)的结构，因此硅通孔(TSV)可被应用到多通道半导体存储器装置。硅通孔可被用作多个存储器之间的导线。硅通孔可用作用于传输从存储器控制器施加的命令信号或地址信号的信号传输线或用于传输数据的线。

在这样的通道存储器中，在半导体芯片形成多个通孔以垂直穿透裸片(die)。

在传统的多通道DRAM装置中，由于命令信号和地址信号被独立地施加到每个存储器装置，因此与每个存储器耦接的每个通道需要专用命令传输线和地址传输线。因此，由硅通孔占据的裸片区域相对较大。例如，如果每个通道的命令/地址线数量为23，通道数量为16，则一个裸片可能需要368个硅通孔。

硅通孔的数量的增加会引起芯片裸片大小的增加。结果，多通道半导体存储器装置的产率降低，而成本增加。

发明内容

本发明构思的一方面在于使用更少的线路来控制多个通道存储器。

本发明构思的另一方面在于减少穿透多个通道存储器的硅通孔的数量。

本发明构思的另一方面在于通过共享总线传输关于多个通道存储器的行命令信号或行地址信号。

本发明构思的另一方面在于通过减少穿透垂直堆叠的多个通道存储器的硅通孔的数量，来减小裸片大小并提高产率。

根据本发明构思的一个特定方面，提供了一种半导体存储器装置，包括：第一存储器，被配置为分别通过第一总线接收第一通道行命令，通过第二总线接收第一通道列命令；第二存储器，通过硅通孔与第一存储器连接，其中，第二存储器被配置为通过专用总线接收第二通道列命令，通过第一存储器的第一总线和第二总线之一接收第二通道行命令。

在各种实施例中，行命令中的每个可包括激活命令和预充电命令，列命令中的每个可包括写命令和读命令。

在各种实施例中，第二总线可以是被布置以传输第一通道行命令和第二通道行命令的共享总线，共享总线由硅通孔形成。

在各种实施例中，第一存储器可以是具有多个存储条的动态随机存取存储器。

在各种实施例中，可由至少一个存储器控制器的第一调度器产生第一通道行命令和第一通道列命令，可由所述至少一个存储器控制器的第二调度器产生第二通道行命令和第二通道列命令。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种半导体存储器装置，包括：第一存储器，被配置为分别通过第一总线和第二总线接收第一通道列地址和第一通道行地址；第二存储器，通过硅通孔与第一存储器连接，第二存储器被配置为通过专用总线接收第二通道列地址，通过第一存储器的第一总线和第二总线之一接收第二通道行地址。

在各种实施例中，第二总线可以是被布置以传输第一通道行地址和第二通道行地址的共享总线，共享总线可由硅通孔形成。

在各种实施例中，第一存储器和第二存储器都是具有多个存储条的动态随机存取存储器。