[发明专利]多通道半导体存储器装置以及包括该装置的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

第一存储器，被配置为分别通过第一总线和第二总线接收第一通道列命令和第一通道行命令；

第二存储器，通过硅通孔与第一存储器连接，第二存储器被配置为通过专用总线接收第二通道列命令，通过第一存储器的第一总线和第二总线之一接收第二通道行命令，

其中，第二总线是共享总线。

2.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，行命令中的每个包括激活命令和预充电命令，列命令中的每个包括写命令和读命令。

3.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，共享总线被布置以传输第一通道行命令和第二通道行命令，共享总线由硅通孔形成。

4.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，行命令是RAS命令，列命令是CAS命令。

5.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，由至少一个存储器控制器的第一调度器产生第一通道行命令和第一通道列命令，由所述至少一个存储器控制器的第二调度器产生第二通道行命令和第二通道列命令。

6.一种半导体存储器装置，包括：

第一存储器，被配置为分别通过第一总线和第二总线接收第一通道列地址和第一通道行地址；

第二存储器，通过硅通孔与第一存储器连接，第二存储器被配置为通过专用总线接收第二通道列地址，通过第一存储器的第一总线和第二总线之一接收第二通道行地址，

其中，第二总线是共享总线。

7.如权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，共享总线被布置以传输第一通道行地址和第二通道行地址，共享总线由硅通孔形成。

8.如权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，第一存储器和第二存储器都是具有多个存储条的动态随机存取存储器。

9.如权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，由至少一个存储器控制器的第一调度器产生第一通道行地址和第一通道列地址，由所述至少一个存储器控制器的第二调度器产生第二通道行地址和第二通道列地址。

10.一种半导体装置，包括：

存储器控制器，包括第一控制单元和第二控制单元，

其中，第一控制单元被配置为产生关于第一通道的第一行命令和第一行地址以及关于第一通道的第一列命令和第一列地址，第二控制单元被配置为产生关于第二通道的第二行命令和第二行地址以及关于第二通道的第二列命令和第二列地址；

半导体存储器装置，包括第一存储器和第二存储器，

其中，第一存储器和第二存储器形成堆叠结构；

其中，第一存储器被配置为通过第一专用总线线路接收第一通道的第一列命令和第一列地址，通过共享总线线路接收关于第一通道的第一行命令和第一行地址，

其中，第二存储器被配置为通过第二专用总线线路接收第二通道的第二列命令和第二列地址，通过共享总线线路接收关于第二通道的第二行命令和第二行地址。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中，存储器控制器和半导体存储器装置被包括在同一封装件内。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其中，第一控制单元和第二控制单元是分别被配置为控制第一存储器和第二存储器的通道调度器。

13.如权利要求10所述的半导体装置，其中，共享总线线路由硅通孔TSV形成。

14.如权利要求10所述的半导体装置，其中，半导体存储器装置还包括以第一存储器和第二存储器的堆叠结构堆叠的通道存储器。

15.一种半导体存储器装置，包括：

第一存储器，被配置为分别通过第一总线和第二总线接收第一通道行地址或第一通道行命令以及第一通道列地址或第一通道列命令；

第二存储器，通过硅通孔与第一存储器连接，第二存储器被配置为通过专用总线接收第二通道行命令或第二通道行地址，通过第一存储器的第一总线和第二总线之一接收第二列命令或第二列地址，

其中，第二总线是共享总线。

16.如权利要求15所述的半导体存储器装置，其中，半导体存储器装置被配置为具有每通道128数据比特用于宽数据输入/输出。