[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管晶粒及其制造方法。

背景技术

现有的发光二极管(Light Emitting Diode, LED)晶粒包括半导体发光结构以及设置在其上的透明导电层，透明导电层使得电流均匀分布以提升半导体发光结构的发光效率。

制作透明导电层既要保证其本身具有较低的电阻率，又要保证制作时间较短。在半导体发光结构上制作透明导电层的过程中，透明导电层电性会随制作条件不同而产生变化，当透明导电层密度较高时，其电性较佳，但制作时间较长；当透明导电层密度较低时，其制作时间较短，但电性较差。因此，在发光二极管晶粒的透明电极的制作时间和电性两者之间难免会有所舍取而不能兼顾。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种使透明电极同时具有制作时间较短和良好的导电性能的发光二极管晶粒及其制造方法。

一种发光二极管晶粒，包括：

一磊晶结构，该磊晶结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层位于第一半导体层和第二半导体层之间；

一第一透明导电层，该第一透明导电层形成在第二半导体层上；

一第二透明导电层，该第二透明导电层形成在第一透明导电层上，第二透明导电层的厚度大于第一透明导电层的厚度，该第一透明导电层的密度大于第二透明导电层的密度。

一种发光二极管晶粒的制造方法，包括以下步骤：

提供基板，并在基板上依次形成第一半导体层、有源层和第二半导体层；

采用蒸镀的方法在第二半导体层上形成第一透明导电层；

采用蒸镀的方法在第一透明导电层上形成厚度大于第一透明导电层的第二透明导电层；

其中，生长第一透明导电层时采用的蒸镀速率小于生长第二透明导电层时采用的蒸镀速率。

由于生长第一透明导电层时采用的蒸镀速率较低，这样形成的第一透明导电层具有较好的导电性能，使第一透明导电层可以与第二半导体层形成欧姆接触，降低发光二极管晶粒的工作电压；同时，在蒸镀速率较低的条件下形成的第一透明导电层的厚度较小，从而第一透明导电层的制作时间能够尽可能地降低；再在蒸镀速率较高的条件下形成的第二透明导电层尽管其厚度较厚，而制作时间较小；由于第一透明导电层与第二半导体层已经形成了良好的欧姆接触，较厚的第二透明导电层并不会增加发光二极管晶粒工作所需的电压。如此，可以兼顾制作时间和导电性能两个因素。

附图说明

图1是本发明一实施方式提供的一种发光二极管晶粒的剖面结构示意图。

图2是本发明一实施方式提供的一种发光二极管晶粒的制造方法流程图。

主要元件符号说明