[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管晶粒的制造方法，包括以下步骤：

提供一磊晶结构，该磊晶结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层位于第一半导体层和第二半导体层之间；

采用蒸镀的方法在第二半导体层上形成第一透明导电层；

采用蒸镀的方法在第一透明导电层上形成厚度大于第一透明导电层的第二透明导电层；

其中，生长第一透明导电层时采用的蒸镀速率小于生长第二透明导电层时采用的蒸镀速率。

2.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于：所述形成第一透明导电层的步骤包括：生长所述第一透明导电层时采用的蒸镀速率小于0.5埃每秒，所述第一透明导电层的厚度小于600埃。

3.如权利要求1所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于：所述形成第二透明导电层的步骤包括：生长所述第二透明导电层时采用的蒸镀速率大于0.5埃每秒，所述第二透明导电层的厚度大于1000埃且小于5000埃。

4.如权利要求2或3中任意一项所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于：所述第一半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域裸露，第二区域上依次覆盖所述有源层、所述第二半导体层、所述第一透明导电层及所述第二透明导电层。

5.如权利要求4所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于：还包括在第一半导体层的第一区域上形成一个第一电极，在第二透明导电层上形成一个第二电极。

6.如权利要求1至3中任意一项所述的发光二极管晶粒的制造方法，其特征在于：所述第一半导体层为N型氮化镓半导体层，第二半导体层为P型氮化镓半导体层。

7.一种发光二极管晶粒，包括：

一磊晶结构，该磊晶结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层位于第一半导体层和第二半导体层之间；

一第一透明导电层，该第一透明导电层形成在第二半导体层上；

一第二透明导电层，该第二透明导电层形成在第一透明导电层上，第二透明导电层的厚度大于第一透明导电层的厚度，该第一透明导电层的密度大于第二透明导电层的密度。

8.如权利要求7所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第一半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域裸露，第二区域上依次覆盖所述有源层、所述第二半导体层、所述第一透明导电层及所述第二透明导电层。

9.如权利要求8所述的发光二极管晶粒，其特征在于：还包括在第一半导体层的第一区域上形成的一个第一电极及在第二透明导电层上形成的一个第二电极。

10.如权利要求7所述的发光二极管晶粒，其特征在于：所述第一透明导电层的厚度小于600埃，所述第二透明导电层的厚度大于1000埃且小于5000埃。