[发明专利]一种高功率半导体激光器阵列线性光源装置无效
| 申请号： | 201110411628.7 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102522694A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 熊笔锋 | 申请（专利权）人： | 烟台睿创微纳技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 264006 山东省烟台市经济技术*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体激光器 阵列 线性 光源 装置 | ||
1.一种高功率半导体激光器阵列线性光源装置，其特征在于，包括一个横截面为对称梯形的水冷槽、至少四个双面金属化的陶瓷基板和至少四个半导体激光器阵列芯片，所述至少四个陶瓷基板沿水冷槽轴线对称设于水冷槽两侧的梯形斜面上，所述每个陶瓷基板上设有一个半导体激光器阵列芯片。
2.按照权利要求1所述的高功率半导体激光器阵列线性光源装置，其特征在于，所述阵列芯片的正级面与陶瓷基板表面贴合并电连通，所述阵列芯片发光腔面边缘与陶瓷基板边缘以及水冷槽斜面上边缘对齐。
3.按照权利要求2所述的高功率半导体激光器阵列线性光源装置，其特征在于，所述阵列芯片与陶瓷基板焊接在一起，所述陶瓷基板与水冷槽焊接焊接在一起。
4.按照权利要求3所述的高功率半导体激光器阵列线性光源装置，其特征在于，所述阵列芯片与陶瓷基板和陶瓷基板与水冷槽的焊接采用金属焊料。
5.按照权利要求2所述的高功率半导体激光器阵列线性光源装置，其特征在于，所述位于水冷槽两侧的阵列芯片中，位于同侧的阵列芯片相互串联。
6.按照权利要求5所述的高功率半导体激光器阵列线性光源装置，其特征在于，所述阵列芯片通过金丝导线串联。
7.按照权利要求4所述的高功率半导体激光器阵列线性光源装置，其特征在于，所述陶瓷基板采用高导热陶瓷制成。
8.按照权利要求1至7任一项所述的高功率半导体激光器阵列线性光源装置，其特征在于，所述两个相邻的陶瓷基板之间设有间距。
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