[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110407484.8 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165519A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有自下而上依次层叠的蚀刻停止层和层间介质层，且在所述层间介质层中形成有铜金属互连线；
在所述半导体衬底上形成一硅层；
图形化所述硅层，并依次蚀刻所述硅层和所述层间介质层，以在所述铜金属互连线之间形成一凹槽；
对所述硅层进行一氧化处理，以缩小所述凹槽的顶部开口；
对所述经氧化处理的硅层实施一离子注入；
在所述半导体衬底上形成一层间介质层，以完全封住所述凹槽的顶部开口。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述硅层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述硅层的的厚度为50-400埃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法蚀刻工艺实施所述蚀刻。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述蚀刻过程在达到所述蚀刻停止层时终止。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述氧化处理之后，所述凹槽的顶部开口的宽度小于45nm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入的注入源为碳源或氮源。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述层间介质层。
9.根据权利要求1或9所述的方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为具有低介电常数的材料。
10.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有自下而上依次层叠的蚀刻停止层和层间介质层，且在所述层间介质层中形成有铜金属互连线；
在所述半导体衬底上形成一硅层；
图形化所述硅层，并依次蚀刻所述硅层和所述层间介质层，以在所述铜金属互连线之间形成一凹槽；
对所述硅层进行一氧化处理，以缩小所述凹槽的顶部开口；
在所述半导体衬底上依次形成一蚀刻停止层和一层间介质层，以完全封住所述凹槽的顶部开口。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述硅层。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述硅层的厚度为50-400埃。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，采用干法蚀刻工艺实施所述蚀刻。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述蚀刻过程在达到所述蚀刻停止层时终止。
15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述氧化处理之后，所述凹槽的顶部开口的宽度小于45nm。
16.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺依次形成所述蚀刻停止层和所述层间介质层。
17.根据权利要求10或16所述的方法，其特征在于，所述蚀刻停止层的材料为碳氮化硅或碳氧化硅。
18.根据权利要求10或16所述的方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为具有低介电常数的材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
