[发明专利]降低层间介质层介电常数的方法有效
| 申请号： | 201110406978.4 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165517A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 介质 介电常数 方法 | ||
1.一种降低层间介质层介电常数的方法，应用于半导体器件的后段工艺中，该方法包括：预先提供一半导体衬底，所述半导体衬底表面自下而上依次包括第一刻蚀终止层和层间介质层；对层间介质层进行刻蚀，刻蚀停止在第一刻蚀终止层上形成沟槽，并在沟槽内填充金属铜形成当层金属互连层；其特征在于，该方法还包括：
在形成的当层金属互连层表面沉积第二刻蚀终止层；
在第二刻蚀终止层表面形成图案化的光阻胶层，所述图案化的光阻胶层的开口内包括预定区域金属铜及金属铜间的层间介质层；
以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀第二刻蚀终止层；
以第二刻蚀终止层为掩膜，回刻金属铜间的层间介质层至预定深度；
在显露出的金属铜表面自动形成导电薄膜；
去除金属铜间的剩余层间介质层，在金属铜间形成多个孔洞。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除金属铜间的剩余层间介质层之后，该方法进一步包括依次沉积下层的刻蚀终止层和下层的层间介质层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，回刻深度为沟槽深度的1/5～1/2。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述导电薄膜为化学电镀选择性淀积形成的钴钨磷化物CoWP，厚度为20～60纳米。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属铜间的剩余层间介质层采用稀氢氟酸湿法去除。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间介质层包括：黑金刚石BD、未掺杂的硅酸盐玻璃USG或者氟化玻璃FSG。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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