[发明专利]影像显示系统有效
申请号: | 201110405672.7 | 申请日: | 2011-12-08 |
公开(公告)号: | CN103165639A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 苏聪艺;彭冠臻;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李鹤松 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 显示 系统 | ||
1.一种影像显示系统,其特征在于,所述影像显示系统包括:
一有机电激发光装置,包括:
一第一基板,具有一内侧表面;
一有机电激发光像素阵列配置于所述第一基板的所述内侧表面之上;
一第二基板具有一内侧表面,其中所述第一基板的内侧表面与所述第二基板的内侧表面是对向设置;
一彩色滤光层配置于所述第二基板的内侧表面之上;以及
一不透明熔接固合层,配置于所述第一基板及所述第二基板之间,用以封合所述第一基板及所述第二基板,其中所述不透明熔接固合层与所述有机电激发光像素阵列是以一虚置区相隔,其中所述虚置区是由一黑矩阵材料、一熔接封合层、或其组合所填满。
2.如权利要求1所述的影像显示系统,其特征在于,所述虚置区是由所述黑矩阵材料及所述熔接封合层所填满,其中所述黑矩阵材料及所述熔接封合层是水平设置于所述第一基板之上。
3.如权利要求2所述的影像显示系统,其特征在于,所述黑矩阵材料为点状、条状、或网状结构。
4.如权利要求1所述的影像显示系统,其特征在于,所述虚置区是由所述黑矩阵材料及所述熔接封合层所填满,其中所述黑矩阵材料及所述熔接封合层垂直设置于所述第一基板之上。
5.如权利要求4所述的影像显示系统,其特征在于,所述黑矩阵材料为点状、条状、或网状结构,而所述熔接封合材料填入所述点状、条状、或网状结构黑矩阵材料的缝隙中。
6.如权利要求1所述的影像显示系统,其特征在于,所述第二基板为玻璃基板、透明塑胶基板、或透明陶瓷基板其中之一。
7.如权利要求1所述的影像显示系统,其特征在于,所述有机电激发光像素阵列包括多个有机发光像素单元、以及一平坦层包覆所述这些有机发光像素单元。
8.如权利要求7所述的影像显示系统,其特征在于,所述有机电激发光像素阵列以所述平坦层与所述虚置区相邻。
9.如权利要求1所述的影像显示系统,其特征在于,所述虚置区的宽度介于0.05~0.5μm。
10.如权利要求9所述的影像显示系统,其特征在于,所述虚置区的宽度介于0.1~0.3μm。
11.如权利要求1所述的影像显示系统,其特征在于,所述彩色滤光层包括红色滤光层、蓝色滤光层、及绿色滤光层。
12.如权利要求1所述的影像显示系统,其特征在于,所述彩色滤光层包括红色滤光层、蓝色滤光层、绿色滤光层、以及黑矩阵层。
13.如权利要求1所述的影像显示系统,其特征在于,所述熔接封合层的材质为一熔接材料,所述熔接材料包括一玻璃粉末、及一吸光粒子。
14.如权利要求13所述的影像显示系统,其特征在于,所述玻璃粉末包括二氧化硅。
15.如权利要求14所述的影像显示系统,其特征在于,所述玻璃粉末更包括K2O、Sb2O3、ZnO、P2O5、V2O5、TiO2、B2O3、SiO2、WO3、Fe2O3、Nd2O3、La2O3、Ce2O4、Pr6O11、Er2O3、CeO2、或其组合。
16.如权利要求13所述的影像显示系统,其特征在于,所述吸光粒子包括黑色颜料粒子、或金属粒子。
17.如权利要求13所述的影像显示系统,其特征在于,所述不透明熔接固合层包括所述熔接材料经一激光固合制造工艺后所得的产物。
18.如权利要求1所述的影像显示系统,其特征在于,所述虚置区包括所述黑矩阵材料,且所述黑矩阵材料为一连续膜层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司,未经群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110405672.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的