[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

半导体元件；

焊盘电极，其形成在所述半导体元件上；

对准标记，其形成在所述半导体元件上；

连接电极，其形成在所述焊盘电极上；以及

底部填充树脂，其形成为覆盖所述连接电极，

其中，所述对准标记的从所述半导体元件开始的高度大于所述连接电极的高度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述连接电极是由凸块底部金属层和焊料凸块形成，所述凸块底部金属层形成在所述焊盘电极上，所述焊料凸块形成在所述凸块底部金属层上。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述对准标记和所述凸块底部金属层是由相同的材料形成。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述对准标记的形状不同于所述连接电极的形状。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述对准标记形成为围绕所述半导体元件的外周部。

6.一种半导体器件的制造方法，其包括：

设置晶片，所述晶片上形成有半导体元件；

在所述晶片上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成具有开口部的第一抗蚀剂图案；

通过使用电镀法，在所述第一抗蚀剂图案的所述开口部中形成对准标记；

在除去所述第一抗蚀剂图案之后，形成具有开口部的第二抗蚀剂图案，所述第二抗蚀剂图案覆盖所述阻挡层和所述对准标记；

通过使用电镀法，在所述第二抗蚀剂图案的所述开口部中形成连接电极；并且

在所述半导体元件上设置底部填充树脂，所述底部填充树脂覆盖所述连接电极。

7.一种半导体器件，其包括：

第一电子部件，其是由半导体元件、形成在所述半导体元件上的焊盘电极、形成在所述半导体元件上的对准标记、形成在所述焊盘电极上的连接电极和形成为覆盖所述连接电极的底部填充树脂形成，所述对准标记的高度大于所述连接电极的高度；以及

第二电子部件，在所述第二电子部件上安装所述第一电子部件。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一电子部件中的所述对准标记与所述连接电极之间的高度差等于或者小于所述第二电子部件的电极的高度。

9.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

形成具有第一对准标记和连接电极的第一电子部件；

设置具有第二对准标记和焊盘电极的第二电子部件；并且

通过使用所述第一对准标记和所述第二对准标记将所述第一电子元件的位置与所述第二电子元件的位置对准、将所述连接电极与所述焊盘电极互相电连接、以及将所述第一电子部件安装在所述第二电子部件上，

其中，所述第一电子部件的形成步骤包括：

设置晶片，所述晶片上形成有半导体元件；

在所述晶片上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成具有开口部的第一抗蚀剂图案；

通过使用电镀法，在所述第一抗蚀剂图案的所述开口部中形成所述第一对准标记；

在除去所述第一抗蚀剂图案之后，形成具有开口部的第二抗蚀剂图案，所述第二抗蚀剂图案覆盖所述阻挡层和所述第一对准标记；

通过使用电镀法，在所述第二抗蚀剂图案的所述开口部中形成所述连接电极；并且

在所述半导体元件上设置底部填充树脂，所述底部填充树脂覆盖所述连接电极。