[发明专利]器件隔离结构及其制造方法

权利要求书

1.一种器件隔离结构，其特征在于，包括：硅衬底，位于硅衬底上的第一隔离层和有源区，其中，有源区由注入的第二隔离层上生长的单晶硅所形成，第一隔离层和有源区间隔排列；

所述第一隔离层由介质层在硅衬底上淀积形成，并能开出有源区窗口；所述第二隔离层，通过注入工艺在有源区窗口内注入有源区反型杂质形成。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于：所述第一隔离层为介质层SiO₂膜，厚度为0.1～10μm。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于：所述第二隔离层，其注入的离子是与MOS Well区反型的离子，其注入剂量为1×10¹³～5×10¹⁷/cm²。

4.如权利要求3所述的结构，其特征在于：所述MOS Well区，为P well区或N well区；

其中，P well区注入的离子，包括：As、P、Sb；

N well区注入的离子，包括：B、In、BF₂。

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于：所述单晶硅的厚度为0.1～10μm。

6.如权利要求1所述的器件隔离结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：

(1)在硅衬底上制作完成第一隔离层的淀积；

(2)在第一隔离层上进行刻蚀，使硅衬底显露，形成有源区窗口；

(3)在有源区窗口注入与MOS Well区反型的离子，并退火修复，形成注入的第二隔离层；

(4)利用选择性外延生长，在有源区窗口内生成单晶硅。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，第一隔离层刻蚀后，侧壁的形状，包括：直角、正倾斜、负倾斜。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，注入能量为10～2Mev。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中，退火温度为600～1200℃，时间为10～200min。