[发明专利]发光装置封装件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110402793.6 申请日: 2011-12-02
公开(公告)号: CN102543981A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 李相炫;黄圣德 申请(专利权)人: 三星LED株式会社
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 郭鸿禧
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 封装 及其 制造 方法
【说明书】:

本申请要求于2010年12月2日提交到韩国知识产权局的第10-2010-0121990号韩国专利申请的权益,该申请的公开通过引用包含于此。

技术领域

下面的描述的示例实施例涉及一种发光装置(LED)封装件及其制造方法,通过在晶片级执行制造工艺,能够来减小产品的尺寸并简化制造工艺。

背景技术

近来,发光装置(LED)已应用到小型家用电器、室内商品,并且还应用到包括大尺寸背光单元(BLU)、普通照明装置和电子装置的各种产品。

在这些应用LED的产品中,需要增大设计的自由度。例如,为了减小用于更纤薄的TV的BLU的宽度并实现各种类型的普通照明装置和电子装置,需要使LED的尺寸减小。

图1示出了传统LED封装件10的结构的剖视图。参照图1,通过在封装件主体11上安装LED14来构造LED封装件10。

封装件主体11包括通过设置在封装件主体11上表面处的腔11a的底表面暴露的第一引线框架12和第二引线框架13。

LED14可以包括设置在一个表面上的具有不同极性的两个电极焊盘。两个电极焊盘安装在封装件主体11上以分别与第一引线框架12和第二引线框架13接触。磷光体树脂层15形成在包括LED14的封装件主体11处。透镜单元16设置在磷光体树脂层15上。

然而,由于封装件主体11与LED14相比相对大,所以如图1中所示的LED封装件10在减小LED封装件尺寸方面存在限制。此外,在应用LED封装件10的产品中,设计方面的自由度的增大受到限制。

另外,由于LED14作为单独的芯片被安装到封装件主体11,所以大批量生产变得困难。此外,制造工艺复杂,因此增大了加工成本和时间。

发明内容

根据示例实施例,提供了一种发光装置(LED)封装件及其制造方法,通过以晶片级执行制造工艺,即,通过使用结合绝缘图案层和结合金属图案层来将包括多个LED的第一基底结合到包括多个通孔和形成在通孔中的布线图案层的第二基底,能够减小产品的尺寸并简化制造工艺。

通过提供一种发光装置(LED)封装件实现了前述和/或其他方面,所述发光装置(LED)封装件包括:LED,包括设置在LED一个表面上的第一电极焊盘和第二电极焊盘;结合绝缘图案层,被构造成暴露第一电极焊盘和第二电极焊盘;基底,包括从第一表面向第二表面成孔的通孔以及形成在通孔的内表面上延伸至第二表面的一部分的布线金属层;以及结合金属图案层,结合到通过通孔在基底的第一表面处暴露的布线金属层,结合金属图案层还结合到第一电极焊盘和第二电极焊盘。

LED可以包括:发光结构,包括第一氮化物基半导体层和第二氮化物基半导体层,并具有暴露第一氮化物基半导体层的一部分的台面结构;第一电极焊盘,设置在被暴露的第一氮化物基半导体层上;第二电极焊盘,设置在第二氮化物基半导体层上;磷光体树脂层,设置在第一氮化物基半导体层的光提取表面上;以及透镜单元,设置在磷光体树脂层上。

第一氮化物基半导体层的光提取表面可以包括不平坦表面图案。

形成在基底中的通孔可以具有从第一表面向第二表面增大的直径,从而所述内表面具有大约65°至大约90°的倾斜角。

布线金属层可以以均匀的厚度形成在通孔的内表面上并可以以与通孔的内部相同的形状形成。

通过提供一种制造LED封装件的方法实现了前述和/或其他方面,所述方法包括:准备第一基底,第一基底包括多个LED,每个LED形成有设置在LED一个表面上的第一电极焊盘和第二电极焊盘,并且第一基底包括被构造成暴露第一电极焊盘和第二电极焊盘的结合绝缘图案层;准备第二基底,第二基底包括多个通孔和布线金属层,所述多个通孔从第一表面向第二表面成孔,布线金属层形成在所述多个通孔的内表面上延伸至第二表面的一部分;形成结合金属图案层,结合金属图案层结合到由所述多个通孔在第二基底的第一表面处暴露的布线金属层;将第一基底安装到第二基底,使得第一电极焊盘和第二电极焊盘面对结合金属图案层;结合第一基底和第二基底;以及通过加工第一基底和第二基底制造被分成单元芯片的LED封装件。

准备第一基底可以包括:在蓝宝石基底上形成包括第一氮化物基半导体层、有源层和第二氮化物基半导体层的发光结构;蚀刻有源层和第二氮化物基半导体层使第一氮化物基半导体层的一部分暴露;在第一氮化物基半导体层上形成第一电极焊盘并在第二氮化物基半导体层上形成第二焊盘;在形成有第一电极焊盘和第二电极焊盘的一个表面上形成结合绝缘材料;以及通过图案化结合绝缘材料来形成结合绝缘图案层使得第一电极焊盘和第二电极焊盘暴露。

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