[发明专利]发光装置封装件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110402793.6 申请日: 2011-12-02
公开(公告)号: CN102543981A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 李相炫;黄圣德 申请(专利权)人: 三星LED株式会社
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 郭鸿禧
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光装置封装件,所述发光装置封装件包括:

发光装置,包括设置在发光装置一个表面上的第一电极焊盘和第二电极焊盘;

结合绝缘图案层,被构造成暴露第一电极焊盘和第二电极焊盘;

基底,包括从第一表面向第二表面成孔的通孔以及形成在通孔的内表面上延伸至第二表面的一部分的布线金属层;以及

结合金属图案层,结合到通过通孔在基底的第一表面处暴露的布线金属层,结合金属图案层还结合到第一电极焊盘和第二电极焊盘。

2.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,发光装置包括:

发光结构,包括第一氮化物基半导体层和第二氮化物基半导体层,并具有暴露第一氮化物基半导体层的一部分的台面结构;

第一电极焊盘,设置在被暴露的第一氮化物基半导体层上;

第二电极焊盘,设置在第二氮化物基半导体层上;

磷光体树脂层,设置在第一氮化物基半导体层的光提取表面上;以及

透镜单元,设置在磷光体树脂层上。

3.如权利要求2所述的发光装置封装件,其中,第一氮化物基半导体层的光提取表面包括不平坦表面图案。

4.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,形成在基底中的通孔具有从第一表面向第二表面增大的直径,从而所述内表面具有65°至90°的倾斜角。

5.如权利要求1所述的发光装置封装件,其中,布线金属层以均匀的厚度形成在通孔的内表面上并以与通孔的内部相同的形状形成。

6.一种制造发光装置封装件的方法,所述方法包括:

准备第一基底,第一基底包括多个发光装置,每个发光装置形成有设置在发光装置一个表面上的第一电极焊盘和第二电极焊盘,并且第一基底包括被构造成暴露第一电极焊盘和第二电极焊盘的结合绝缘图案层;

准备第二基底,第二基底包括多个通孔和布线金属层,所述多个通孔从第一表面向第二表面成孔,布线金属层形成在所述多个通孔的内表面上延伸至第二表面的一部分;

形成结合金属图案层,结合金属图案层结合到由所述多个通孔在第二基底的第一表面处暴露的布线金属层;

将第一基底安装到第二基底,使得第一电极焊盘和第二电极焊盘面对结合金属图案层;

结合第一基底和第二基底;以及

通过加工第一基底和第二基底制造被分成单元芯片的发光装置封装件。

7.如权利要求6所述的方法,其中,准备第一基底包括:

在蓝宝石基底上形成包括第一氮化物基半导体层、有源层和第二氮化物基半导体层的发光结构;

蚀刻有源层和第二氮化物基半导体层使第一氮化物基半导体层的一部分暴露;

在第一氮化物基半导体层上形成第一电极焊盘并在第二氮化物基半导体层上形成第二焊盘;

在形成有第一电极焊盘和第二电极焊盘的一个表面上形成结合绝缘材料;以及

通过图案化结合绝缘材料来形成结合绝缘图案层使得第一电极焊盘和第二电极焊盘暴露。

8.如权利要求7所述的方法,其中,制造被分成单元芯片的发光装置封装件包括:

通过从构成第一基底的发光结构除去蓝宝石基底来暴露第一氮化物基半导体层;

在被暴露的第一氮化物基半导体层上形成不平坦表面图案;

将磷光体树脂涂覆在形成有不平坦表面图案的第一氮化物基半导体层上;

将透明树脂涂覆在磷光体树脂上;以及

将第一基底和第二切割成分开的单元芯片。

9.如权利要求6所述的方法,其中,准备第二基底包括:

通过蚀刻导电基底形成所述多个通孔;

在形成有所述多个通孔的导电基底的表面上形成绝缘层;

在绝缘层上形成金属种子层,金属种子层从所述多个通孔中每个通孔的内表面延伸至第二表面;以及

通过用金属材料镀金属种子层来形成布线金属层,布线金属层从所述多个通孔中每个通孔的内表面延伸至第二表面的一部分。

10.如权利要去6所述的方法,所述多个通孔均具有从第一表面向第二表面增大的直径,从而所述内表面具有65°至90°的倾斜角。

11.如权利要求9所述的方法,形成布线金属层的步骤包括以均匀厚度的金属材料镀金属种子层,以使布线金属层具有与所述多个通孔中每个通孔相同的形状。

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