[发明专利]一种片状氢氧化镁的制备方法无效
| 申请号: | 201110401717.3 | 申请日: | 2011-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN102491380A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
| 发明(设计)人: | 卢旭晨;杨素萍;王体壮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号: | C01F5/14 | 分类号: | C01F5/14;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 陈慧珍 |
| 地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 片状 氢氧化镁 制备 方法 | ||
1.一种片状氢氧化镁的制备方法,包括如下步骤:
(1)焙烧碳酸镁的矿源得到轻烧氧化镁;
(2)将步骤(1)制得的轻烧氧化镁与助磨剂、水混合制得浆料;
(3)将步骤(2)制得的浆料机械球磨处理;
(4)将步骤(3)处理后的浆料室温下陈化;
(5)将步骤(4)陈化后的浆料固液分离、洗涤、干燥得片状氢氧化镁颗粒。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中所述碳酸镁的矿源选自白云石、菱镁矿、水菱镁矿或碳酸钙镁石中的一种或至少两种以上的混合物,优选菱镁矿,进一步优选菱镁矿中MgCO3质量含量在90%以上。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,步骤(1)中所述碳酸镁的矿源经粉碎,优选粉碎至平均粒度小于500μm。
4.如权利要求1~3任一项所述的方法,其特征在于,步骤(1)中所述的焙烧温度低于1000℃,优选400~800℃;
优选地,所述的焙烧设备包括倒焰窑、隧道窑、回转窑、马弗炉、竖炉或流化床。
5.如权利要求1~4任一项所述的方法,其特征在于,步骤(2)中所述的助磨剂为硅烷偶联剂或非离子表面活性剂,优选聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚氧乙烯胺中的一种或至少两种以上的混合物。
6.如权利要求1~5任一项所述的方法,其特征在于,步骤(2)中所述的轻烧氧化镁、助磨剂、水的质量比为1∶0.001~0.2∶5~40,优选轻烧氧化镁、助磨剂、水的质量比为1∶0.01~0.1∶5~20。
7.如权利要求1~6任一项所述的方法,其特征在于,步骤(3)中所述的球磨处理时间为15min~24h,优选1h~10h;
优选地,所述球磨处理时的球料比为5~40,优选20~40。
8.如权利要求1~7任一项所述的方法,其特征在于,步骤(3)中所述的机械球磨处理采用间歇球磨或连续球磨。
9.如权利要求1~8任一项所述的方法,其特征在于,步骤(4)中所述的陈化的时间为0.1h~100h,优选2h~30h,进一步优选5h~20h。
10.如权利要求1~9任一项所述的方法,其特征在于,步骤(5)中所述的固液分离采用压滤或离心;
优选地,所述的洗涤先用水洗,再用有机溶剂进行洗涤;
优选地,所述溶剂为极性较小或无极性的有机溶剂,进一步优选甲醇或乙醇或丙酮,或其混合物。
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