[发明专利]薄膜晶体管基板及半穿透半反射式液晶显示器的制造方法无效
申请号: | 201110399984.1 | 申请日: | 2011-12-06 |
公开(公告)号: | CN102403271A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 郭晋川 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;G03F7/00;G02F1/1333 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 穿透 反射 液晶显示器 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种半穿透半反射式液晶显示器薄膜晶体管基板的制造方法,特别是有关于一种半穿透半反射式液晶显示器薄膜晶体管基板的制造方法。
背景技术
液晶显示面板具有低功率消耗和外型薄的特点,被广泛地用在各种电子产品中,如手提式计算机、数字相机、手机等产品,一般而言,液晶显示面板分为穿透式、反射式及半穿透半反射,穿透式液晶显示器是利用背光模组作为其光源,反射式液晶显示器是利用外在环境光作为其光源,而半穿透半反射式液晶显示器是同时使用背光模组和外在环境光作为其光源。
先前技术可知,在制造半穿透半反射式液晶显示器的薄膜晶体管基板时,会使用八道光罩来制作薄膜晶体管基板。参考图1A,利用五道光罩将一薄膜晶体管22及一穿透电极23形成于一基板21上,其中基板21定义有一穿透区24和一反射区25。参考图1B,将有机光阻26涂布于薄膜晶体管22及穿透电极23上。参考图1C,利用第六道光罩27,并使用较高曝光量28将位于穿透区24内的有机光阻26曝穿。参考图1D,经显影后,形成一贯穿开口29于穿透区24内。参考图1E,利用第七道光罩30,并使用较低曝光量31将位于反射区25内的有机光阻26曝光。参考图1F,经显影后,形成多个非贯穿孔32和多个凸块33于反射区25内。参考图1G,再使用烤箱的热风将凸块33进行固化(curing),因有机光阻26的热回流特性,而形成弧形表面34。参考图1H,形成一反射性金属薄膜,然后利用第八道光罩,再将反射性金属薄膜图案化成一反射电极35,且反射电极35形成于反射区25内的弧形表面34上,如此以完成薄膜晶体管基板41。
由上述可知为了要制作出半穿透半反射式液晶显示器的薄膜晶体管基板时,该制程会使用到八道光罩,而每增加一道光罩制作时间和成本也会增加,反之减少光罩数目就可降低液晶显示面板生产时间和成本。
因此,便有需要提供一种薄膜晶体管基板的制造方法,能够解决前述的问题。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法,其步骤包含:提供一基板,其定义有多个像素区域,每个像素区域形成有一薄膜晶体管,每个像素区域包含一穿透区及一反射区;形成一光阻层在该薄膜晶体管上;只使用一光罩,曝光该光阻层,并显影该曝光后的光阻层,以使该光阻层同时形成有一贯穿开口、多个贯穿孔及凸块(bump pattern),其中该贯穿开口位于该穿透区,该些贯穿孔及凸块依序排列而位于该反射区,且该贯穿开口的尺寸大于该贯穿孔的尺寸;利用热处理固化制程将该些凸块进行固化,使该些凸块形成有一弧形表面;以及形成一反射电极于该弧形表面。
根据本发明的薄膜晶体管基板可知,本发明只需要一道光罩曝光显影制程及一个热处理固化制程就可将光阻层形成有弧形表面的反射区及无光阻残留的穿透区,亦即本发明只使用七道光罩来制作具双重液晶盒间隙(dual cell gap)的半穿透半反射式液晶显示器的薄膜晶体管基板。相较于先前技术需要两道光罩曝光显影制程及一个热处理固化制程才能将有机光阻形成有弧形表面,亦即先前技术需要使用八道光罩来制作薄膜晶体管基板。因此,本发明确实可以大幅降低薄膜晶体管基板的生产成本,并提高其产量。
为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显,下文将配合所附图示,作详细说明如下。
附图说明
图1A到图1H为先前技术的薄膜晶体管基板的制造方法的剖面示意图;
图2A到图2F为本发明的一实施例的薄膜晶体管基板的制造方法的剖面示意图;
图3为本发明的一实验结果图,其显示控制热板加热时间为0、50、80、110 秒,贯穿孔与贯穿开口的回填变化;以及
图4为本发明的一实施例的半穿透半反射式液晶显示器的制造方法的剖面示意图。
具体实施方式
请参考图2A至图2F,其显示本发明的一实施例的薄膜晶体管基板的制造方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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