[发明专利]薄膜晶体管基板及半穿透半反射式液晶显示器的制造方法无效
| 申请号： | 201110399984.1 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102403271A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 郭晋川 | 申请（专利权）人： | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G03F7/00;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 穿透 反射 液晶显示器 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包含下列步骤:
提供一基板，其定义有多个像素区域，每个像素区域形成有一薄膜晶体管，每个像素区域包含一穿透区及一反射区；
形成一光阻层在该薄膜晶体管上；
只使用一光罩，曝光该光阻层，并显影该曝光后的光阻层，以使该光阻层同时形成有一贯穿开口、多个贯穿孔及凸块，其中该贯穿开口位于该穿透区，该些贯穿孔及凸块依序排列而位于该反射区，且该贯穿开口的尺寸大于该贯穿孔的尺寸；以及
利用一热处理固化制程将该些凸块进行固化，使该些凸块形成有一弧形表面。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该热处理固化制程使该光阻层产生热回流现象，让尺寸较小的该些贯穿孔回填，而尺寸较大的该贯穿开口则可维持原曝穿状态。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，还包含下列步骤: 形成一反射电极于该弧形表面。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该热处理固化制程为一烤箱的热风或一热板的热传导。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该光阻层藉由一涂布或一沉积制程而形成在该薄膜晶体管上。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，该光阻层为一有机光阻。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，部份的该些贯穿孔裸露出该薄膜晶体管。
8.一种半穿透半反射式液晶显示器的制造方法，其特征在于，包含下列步骤:
提供一彩色滤光片基板及如权利要求2所述的该薄膜晶体管基板；
配置一液晶层于该彩色滤光片基板与薄膜晶体管基板之间，如此以完成一液晶面板；
配置一背光模组于该液晶面板下方，其中该背光模组的光线通过该穿透区而作为光源，且外在环境光藉由位于该反射区内的反射电极的反射而作为光源，如此以完成一半穿透半反射式液晶显示器。
9.如权利要求8所述的半穿透半反射式液晶显示器的制造方法，其特征在于，该热处理固化制程为一烤箱的热风或一热板的热传导。
10.如权利要求8所述的半穿透半反射式液晶显示器的制造方法，其特征在于，部份的该些贯穿孔裸露出该薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
